•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Classification of Texture Using Gray Level Co-occurrence Matrix and Self-Organizing Map

نویسنده:
Thakare, V.S. , Patil, N.N.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/ICGCCEE.2014.6922240
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/980424
کلیدواژه(گان): CMOS integrated circuits,buried layers,integrated circuit modelling,leakage currents,low-power electronics,TCAD simulation,buried oxide,channel length variation,leakage current reduction,low power UTBB FDSOI CMOS device,subthreshold slope,threshold voltage,CMOS integrated circuits,Capacitance,Logic gates,MOS devices,Semiconductor device modeling,Substrates,Threshold voltage,Channel Length,Fully Depleted (FD),Silicon on Insulator (SOI),Simulation,Sub-threshold slope,Thresh
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Classification of Texture Using Gray Level Co-occurrence Matrix and Self-Organizing Map

Show full item record

contributor authorThakare, V.S. , Patil, N.N.
date accessioned2020-03-12T19:31:11Z
date available2020-03-12T19:31:11Z
date issued2014
identifier other6745402.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/980424
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleClassification of Texture Using Gray Level Co-occurrence Matrix and Self-Organizing Map
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8094740
subject keywordsCMOS integrated circuits
subject keywordsburied layers
subject keywordsintegrated circuit modelling
subject keywordsleakage currents
subject keywordslow-power electronics
subject keywordsTCAD simulation
subject keywordsburied oxide
subject keywordschannel length variation
subject keywordsleakage current reduction
subject keywordslow power UTBB FDSOI CMOS device
subject keywordssubthreshold slope
subject keywordsthreshold voltage
subject keywordsCMOS integrated circuits
subject keywordsCapacitance
subject keywordsLogic gates
subject keywordsMOS devices
subject keywordsSemiconductor device modeling
subject keywordsSubstrates
subject keywordsThreshold voltage
subject keywordsChannel Length
subject keywordsFully Depleted (FD)
subject keywordsSilicon on Insulator (SOI)
subject keywordsSimulation
subject keywordsSub-threshold slope
subject keywordsThresh
identifier doi10.1109/ICGCCEE.2014.6922240
journal titlelectronic Systems, Signal Processing and Computing Technologies (ICESC), 2014 International Conferen
filesize215468
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace