•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Characterization and Modeling of Breakdown Probability in Sub-Micrometer CMOS SPADs

نویسنده:
Pancheri, Lucio
,
Stoppa, David
,
Dalla Betta, Gian-Franco
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/JSTQE.2014.2327791
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1137858
کلیدواژه(گان): CMOS integrated circuits,avalanche photodiodes,electric breakdown,integrated optoelectronics,breakdown probability,breakdown voltage,dead-space models,local model,p+/nwell abrupt junction,pwell/n-iso diffused junction,single-photon avalanche diodes,size 0.15 mum,submicrometer CMOS SPAD,Charge carrier processes,Electric breakdown,Electric fields,Ionization,Junctions,Semiconductor device modeling,Semiconductor process modeling,Single-photon avalanche diode (SPAD),avalanche bre
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Characterization and Modeling of Breakdown Probability in Sub-Micrometer CMOS SPADs

Show full item record

contributor authorPancheri, Lucio
contributor authorStoppa, David
contributor authorDalla Betta, Gian-Franco
date accessioned2020-03-13T00:11:50Z
date available2020-03-13T00:11:50Z
date issued2014
identifier issn1077-260X
identifier other6847145.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1137858
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleCharacterization and Modeling of Breakdown Probability in Sub-Micrometer CMOS SPADs
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8319834
subject keywordsCMOS integrated circuits
subject keywordsavalanche photodiodes
subject keywordselectric breakdown
subject keywordsintegrated optoelectronics
subject keywordsbreakdown probability
subject keywordsbreakdown voltage
subject keywordsdead-space models
subject keywordslocal model
subject keywordsp+/nwell abrupt junction
subject keywordspwell/n-iso diffused junction
subject keywordssingle-photon avalanche diodes
subject keywordssize 0.15 mum
subject keywordssubmicrometer CMOS SPAD
subject keywordsCharge carrier processes
subject keywordsElectric breakdown
subject keywordsElectric fields
subject keywordsIonization
subject keywordsJunctions
subject keywordsSemiconductor device modeling
subject keywordsSemiconductor process modeling
subject keywordsSingle-photon avalanche diode (SPAD)
subject keywordsavalanche bre
identifier doi10.1109/JSTQE.2014.2327791
journal titleSelected Topics in Quantum Electronics, IEEE Journal of
journal volume20
journal issue6
filesize1303127
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace