•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Welcome!

نویسنده:
Nelson, Catherine Blackadar
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/IWJT.2014.6842053
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1068015
کلیدواژه(گان): MOSFET,n annealing,n carrier mobility,n gallium,n secondary ion mass spectra,n DIBL,n FinFET leakage characteristics,n Ga,n HS-P mixed halo formation,n SIMS,n SiON,n advanced MOSFET device,n annealing,n carrier mobility degradation,n co-implant,n device gain,n device wafers,n drain induced barrier lowering,n gallium halo,n ground plane-retrograde,n halo profile optimization,n high scattering p-type dopant,n implant induced damage
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Welcome!

Show full item record

contributor authorNelson, Catherine Blackadar
date accessioned2020-03-12T22:00:11Z
date available2020-03-12T22:00:11Z
date issued2014
identifier other6970246.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1068015
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleWelcome!
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8202955
subject keywordsMOSFET
subject keywordsn annealing
subject keywordsn carrier mobility
subject keywordsn gallium
subject keywordsn secondary ion mass spectra
subject keywordsn DIBL
subject keywordsn FinFET leakage characteristics
subject keywordsn Ga
subject keywordsn HS-P mixed halo formation
subject keywordsn SIMS
subject keywordsn SiON
subject keywordsn advanced MOSFET device
subject keywordsn annealing
subject keywordsn carrier mobility degradation
subject keywordsn co-implant
subject keywordsn device gain
subject keywordsn device wafers
subject keywordsn drain induced barrier lowering
subject keywordsn gallium halo
subject keywordsn ground plane-retrograde
subject keywordsn halo profile optimization
subject keywordsn high scattering p-type dopant
subject keywordsn implant induced damage
identifier doi10.1109/IWJT.2014.6842053
journal titlelobal Humanitarian Technology Conference (GHTC), 2014 IEEE
filesize187578
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace