•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Investigation of charge build-up in NO nitrided gate oxide on 4H-SiC during Fowler-Nordheim injection and fabrication of 4H-SiC Lateral Double-Implanted MOSFETs

نویسنده:
Jeong Hyun Moon
,
Wook Bahng
,
In Ho Kang
,
Sang Cheol Kim
,
Nam-Kyun Kim
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/PSCC.2014.7038112
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1047476
کلیدواژه(گان): Frequency control,Generators,Load modeling,Mathematical model,Photovoltaic systems,Rotors,ancillary services,grid services,photovoltaic plants,primary frequency control,wind turbines
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Investigation of charge build-up in NO nitrided gate oxide on 4H-SiC during Fowler-Nordheim injection and fabrication of 4H-SiC Lateral Double-Implanted MOSFETs

Show full item record

contributor authorJeong Hyun Moon
contributor authorWook Bahng
contributor authorIn Ho Kang
contributor authorSang Cheol Kim
contributor authorNam-Kyun Kim
date accessioned2020-03-12T21:23:32Z
date available2020-03-12T21:23:32Z
date issued2014
identifier other6940051.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1047476
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleInvestigation of charge build-up in NO nitrided gate oxide on 4H-SiC during Fowler-Nordheim injection and fabrication of 4H-SiC Lateral Double-Implanted MOSFETs
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8176624
subject keywordsFrequency control
subject keywordsGenerators
subject keywordsLoad modeling
subject keywordsMathematical model
subject keywordsPhotovoltaic systems
subject keywordsRotors
subject keywordsancillary services
subject keywordsgrid services
subject keywordsphotovoltaic plants
subject keywordsprimary frequency control
subject keywordswind turbines
identifier doi10.1109/PSCC.2014.7038112
journal titleon Implantation Technology (IIT), 2014 20th International Conference on
filesize885529
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace