•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

A Test Structure to Characterize Nano-Scale Ohmic Contacts in III-V MOSFETs

نویسنده:
Wenjie Lu
,
Guo, Anjin
,
Vardi, Alon
,
del Alamo, Jesus /A/.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/LED.2013.2295328
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/965729
کلیدواژه(گان): MOSFET,contact resistance,gallium arsenide,indium compounds,molybdenum,ohmic contacts,semiconductor device models,transmission lines,2D distributed resistive network,III-V MOSFET,Kelvin measurements,Mo-InGaAs,Mo-InGaAs contacts,TLM,contact resistance,contact resistivity,contact spacing,electrical properties,metal sheet resistance,nanoscale metal-semiconductor contacts,nanoscale ohmic contacts,semiconductor sheet resistance,test structure,transmission line model,Contact re
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    A Test Structure to Characterize Nano-Scale Ohmic Contacts in III-V MOSFETs

Show full item record

contributor authorWenjie Lu
contributor authorGuo, Anjin
contributor authorVardi, Alon
contributor authordel Alamo, Jesus /A/.
date accessioned2020-03-12T18:39:15Z
date available2020-03-12T18:39:15Z
date issued2014
identifier issn0741-3106
identifier other6704309.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/965729
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleA Test Structure to Characterize Nano-Scale Ohmic Contacts in III-V MOSFETs
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid7999423
subject keywordsMOSFET
subject keywordscontact resistance
subject keywordsgallium arsenide
subject keywordsindium compounds
subject keywordsmolybdenum
subject keywordsohmic contacts
subject keywordssemiconductor device models
subject keywordstransmission lines
subject keywords2D distributed resistive network
subject keywordsIII-V MOSFET
subject keywordsKelvin measurements
subject keywordsMo-InGaAs
subject keywordsMo-InGaAs contacts
subject keywordsTLM
subject keywordscontact resistance
subject keywordscontact resistivity
subject keywordscontact spacing
subject keywordselectrical properties
subject keywordsmetal sheet resistance
subject keywordsnanoscale metal-semiconductor contacts
subject keywordsnanoscale ohmic contacts
subject keywordssemiconductor sheet resistance
subject keywordstest structure
subject keywordstransmission line model
subject keywordsContact re
identifier doi10.1109/LED.2013.2295328
journal titleElectron Device Letters, IEEE
journal volume35
journal issue2
filesize818930
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace