•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Nonvolatile Multilevel Resistive Switching Memory Cell: A Transition Metal Oxide-Based Circuit

نویسنده:
Stoliar, P.
,
Levy, P.
,
Sanchez, Maria Jesus
,
Leyva, A.G.
,
Albornoz, C.A.
,
Gomez-Marlasca, F.
,
Zanini, Anibal
,
Toro Salazar, C.
,
Ghenzi, N.
,
Rozenberg, M.J.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/TCSII.2013.2290921
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/964442
کلیدواژه(گان): circuit stability,random-access storage,RS based MLC,ReRAM,manganite based RS device,multilevel cell,nonvolatile memory cell,resistive random access memory,resistive switching,transition metal oxide-based circuit,Histograms,Metals,Nonvolatile memory,Resistance,Stability analysis,Switches,Tuning,Multilevel cell (MLC),nonvolatile memory,resistive random access memory (ReRAM),resistive switching (RS)
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Nonvolatile Multilevel Resistive Switching Memory Cell: A Transition Metal Oxide-Based Circuit

Show full item record

contributor authorStoliar, P.
contributor authorLevy, P.
contributor authorSanchez, Maria Jesus
contributor authorLeyva, A.G.
contributor authorAlbornoz, C.A.
contributor authorGomez-Marlasca, F.
contributor authorZanini, Anibal
contributor authorToro Salazar, C.
contributor authorGhenzi, N.
contributor authorRozenberg, M.J.
date accessioned2020-03-12T18:36:57Z
date available2020-03-12T18:36:57Z
date issued2014
identifier issn1549-7747
identifier other6689338.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/964442
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleNonvolatile Multilevel Resistive Switching Memory Cell: A Transition Metal Oxide-Based Circuit
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid7997943
subject keywordscircuit stability
subject keywordsrandom-access storage
subject keywordsRS based MLC
subject keywordsReRAM
subject keywordsmanganite based RS device
subject keywordsmultilevel cell
subject keywordsnonvolatile memory cell
subject keywordsresistive random access memory
subject keywordsresistive switching
subject keywordstransition metal oxide-based circuit
subject keywordsHistograms
subject keywordsMetals
subject keywordsNonvolatile memory
subject keywordsResistance
subject keywordsStability analysis
subject keywordsSwitches
subject keywordsTuning
subject keywordsMultilevel cell (MLC)
subject keywordsnonvolatile memory
subject keywordsresistive random access memory (ReRAM)
subject keywordsresistive switching (RS)
identifier doi10.1109/TCSII.2013.2290921
journal titleCircuits and Systems II: Express Briefs, IEEE Transactions on
journal volume61
journal issue1
filesize761493
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace