•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

CMUTs with high-K atomic layer deposition dielectric material insulation layer

نویسنده:
Xu, Tao
,
Tekes, Coskun
,
Degertekin, F.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/TUFFC.2014.006481
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1149350
کلیدواژه(گان): atomic layer deposition,capacitive sensors,electric breakdown,hafnium compounds,high-k dielectric thin films,insulating materials,micromachining,microsensors,permittivity,plasma CVD,silicon compounds,ALD materials,CMUT design,HfO<,sub>,2<,/sub>,PECVD,Si<,sub>,x<,/sub>,N<,sub>,y<,/sub>,capacitive micromachined ultrasonic transducers,collapse voltage,dielectric constant,electrical breakdown strength,frequency 16.5 MHz,high-K atomic layer deposition di
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    CMUTs with high-K atomic layer deposition dielectric material insulation layer

Show full item record

contributor authorXu, Tao
contributor authorTekes, Coskun
contributor authorDegertekin, F.
date accessioned2020-03-13T00:30:36Z
date available2020-03-13T00:30:36Z
date issued2014
identifier issn0885-3010
identifier other6968705.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1149350
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleCMUTs with high-K atomic layer deposition dielectric material insulation layer
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8332606
subject keywordsatomic layer deposition
subject keywordscapacitive sensors
subject keywordselectric breakdown
subject keywordshafnium compounds
subject keywordshigh-k dielectric thin films
subject keywordsinsulating materials
subject keywordsmicromachining
subject keywordsmicrosensors
subject keywordspermittivity
subject keywordsplasma CVD
subject keywordssilicon compounds
subject keywordsALD materials
subject keywordsCMUT design
subject keywordsHfO<
subject keywordssub>
subject keywords2<
subject keywords/sub>
subject keywordsPECVD
subject keywordsSi<
subject keywordssub>
subject keywordsx<
subject keywords/sub>
subject keywordsN<
subject keywordssub>
subject keywordsy<
subject keywords/sub>
subject keywordscapacitive micromachined ultrasonic transducers
subject keywordscollapse voltage
subject keywordsdielectric constant
subject keywordselectrical breakdown strength
subject keywordsfrequency 16.5 MHz
subject keywordshigh-K atomic layer deposition di
identifier doi10.1109/TUFFC.2014.006481
journal titleUltrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, IEEE Transactions on
journal volume61
journal issue12
filesize5163345
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace