•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

The Effect of 3-MeV Proton Irradiation on the Performance of InGaN/GaN MQWs Solar Cells

نویسنده:
Zhen Bi
,
Jincheng Zhang
,
Ling Lv
,
Yue Hao
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/LPT.2014.2327072
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1134270
کلیدواژه(گان): III-V semiconductors,gallium compounds,indium compounds,photoluminescence,proton effects,quantum well devices,semiconductor quantum wells,semiconductor thin films,solar cells,thin film devices,wide band gap semiconductors,InGaN-GaN,MQW solar cells,conversion efficiency,electron volt energy 3 MeV,irradiation degradation,multiple quantum well solar cells,photoluminescence characteristics,proton fluence,proton irradiation effect,space solar cells,thin film,Films,Gallium arsen
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    The Effect of 3-MeV Proton Irradiation on the Performance of InGaN/GaN MQWs Solar Cells

Show full item record

contributor authorZhen Bi
contributor authorJincheng Zhang
contributor authorLing Lv
contributor authorYue Hao
date accessioned2020-03-13T00:05:49Z
date available2020-03-13T00:05:49Z
date issued2014
identifier issn1041-1135
identifier other6823107.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1134270
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleThe Effect of 3-MeV Proton Irradiation on the Performance of InGaN/GaN MQWs Solar Cells
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8315562
subject keywordsIII-V semiconductors
subject keywordsgallium compounds
subject keywordsindium compounds
subject keywordsphotoluminescence
subject keywordsproton effects
subject keywordsquantum well devices
subject keywordssemiconductor quantum wells
subject keywordssemiconductor thin films
subject keywordssolar cells
subject keywordsthin film devices
subject keywordswide band gap semiconductors
subject keywordsInGaN-GaN
subject keywordsMQW solar cells
subject keywordsconversion efficiency
subject keywordselectron volt energy 3 MeV
subject keywordsirradiation degradation
subject keywordsmultiple quantum well solar cells
subject keywordsphotoluminescence characteristics
subject keywordsproton fluence
subject keywordsproton irradiation effect
subject keywordsspace solar cells
subject keywordsthin film
subject keywordsFilms
subject keywordsGallium arsen
identifier doi10.1109/LPT.2014.2327072
journal titlePhotonics Technology Letters, IEEE
journal volume26
journal issue15
filesize1137716
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace