•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

All-Graphene Planar Double Barrier Resonant Tunneling Diodes

نویسنده:
Al-Dirini, Feras
,
Hossain, Faruque M.
,
Nirmalathas, Ampalavanapillai
,
Skafidas, E.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/JEDS.2014.2327375
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1134252
کلیدواژه(گان): EHT calculations,Green',s function methods,graphene,resonant tunnelling diodes,all-graphene planar double barrier resonant tunneling diode,current-voltage characteristics,extended Huckel method,graphene nanoribbon,in-plane connection,negative differential resistance,nonequilibrium Green',s function formalism,planar architecture,quantum mechanical simulation results,reverse-to-forward current rectification ratio,Australia,Educational institutions,Fabrication,Graphene,Nan
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    All-Graphene Planar Double Barrier Resonant Tunneling Diodes

Show full item record

contributor authorAl-Dirini, Feras
contributor authorHossain, Faruque M.
contributor authorNirmalathas, Ampalavanapillai
contributor authorSkafidas, E.
date accessioned2020-03-13T00:05:47Z
date available2020-03-13T00:05:47Z
date issued2014
identifier issn2168-6734
identifier other6823085.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1134252
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleAll-Graphene Planar Double Barrier Resonant Tunneling Diodes
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8315542
subject keywordsEHT calculations
subject keywordsGreen'
subject keywordss function methods
subject keywordsgraphene
subject keywordsresonant tunnelling diodes
subject keywordsall-graphene planar double barrier resonant tunneling diode
subject keywordscurrent-voltage characteristics
subject keywordsextended Huckel method
subject keywordsgraphene nanoribbon
subject keywordsin-plane connection
subject keywordsnegative differential resistance
subject keywordsnonequilibrium Green'
subject keywordss function formalism
subject keywordsplanar architecture
subject keywordsquantum mechanical simulation results
subject keywordsreverse-to-forward current rectification ratio
subject keywordsAustralia
subject keywordsEducational institutions
subject keywordsFabrication
subject keywordsGraphene
subject keywordsNan
identifier doi10.1109/JEDS.2014.2327375
journal titleElectron Devices Society, IEEE Journal of the
journal volume2
journal issue5
filesize922717
citations6
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace