•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

The emission structures stability in alternating electrical fields

نویسنده:
Filippov, S.V. , Popov, E.O. , Kolosko, A.G. , Romanov, P.A.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/BCTM.2014.6981279
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1111582
کلیدواژه(گان): BiCMOS integrated circuits,carrier lifetime,elemental semiconductors,germanium,p-i-n photodiodes,Ge,bandwidth degradation,high-performance BiCMOS process,minority-carrier diffusion,minority-carrier lifetime,nondepleted weakly doped regions,nondoping implantations,photonic BiCMOS process,thermal steps,waveguide-coupled Ge lateral pin photodiodes,Annealing,Bandwidth,BiCMOS integrated circuits,Implants,PIN photodiodes,Photonics,Silicides,BiCMOS,Ge photodiode,Silicon photonic
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    The emission structures stability in alternating electrical fields

Show full item record

date accessioned2020-03-12T23:26:16Z
date available2020-03-12T23:26:16Z
date issued2014
identifier other6891975.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1111582
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleThe emission structures stability in alternating electrical fields
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8280412
subject keywordsBiCMOS integrated circuits
subject keywordscarrier lifetime
subject keywordselemental semiconductors
subject keywordsgermanium
subject keywordsp-i-n photodiodes
subject keywordsGe
subject keywordsbandwidth degradation
subject keywordshigh-performance BiCMOS process
subject keywordsminority-carrier diffusion
subject keywordsminority-carrier lifetime
subject keywordsnondepleted weakly doped regions
subject keywordsnondoping implantations
subject keywordsphotonic BiCMOS process
subject keywordsthermal steps
subject keywordswaveguide-coupled Ge lateral pin photodiodes
subject keywordsAnnealing
subject keywordsBandwidth
subject keywordsBiCMOS integrated circuits
subject keywordsImplants
subject keywordsPIN photodiodes
subject keywordsPhotonics
subject keywordsSilicides
subject keywordsBiCMOS
subject keywordsGe photodiode
subject keywordsSilicon photonic
identifier doi10.1109/BCTM.2014.6981279
journal titleacuum Electron Sources Conference (IVESC), 2014 Tenth International
filesize198529
citations0
contributor rawauthorFilippov, S.V. , Popov, E.O. , Kolosko, A.G. , Romanov, P.A.
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace