•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

An accident analysis of a smart substation

نویسنده:
Niu, XueYuan
,
Zhai, JianFan
,
Li, ChunLin
,
Li, Chao
,
Niu, JuYuan
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/AM-FPD.2014.6867142
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1070485
کلیدواژه(گان): amorphous semiconductors,n gallium compounds,n indium compounds,n semiconductor thin films,n surface roughness,n thin film transistors,n zinc compounds,n InGaZnO,n active layer thickness effect,n bottom-gate top-contact architectures,n electrical characteristics,n electrical properties,n multistacked active layer,n on-off ration,n solution-processed a-IGZO TFTs,n stacking layers,n subthreshold swing,n surface roughness,n threshold voltage
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    An accident analysis of a smart substation

Show full item record

contributor authorNiu, XueYuan
contributor authorZhai, JianFan
contributor authorLi, ChunLin
contributor authorLi, Chao
contributor authorNiu, JuYuan
date accessioned2020-03-12T22:04:39Z
date available2020-03-12T22:04:39Z
date issued2014
identifier other6991853.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1070485
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleAn accident analysis of a smart substation
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8206547
subject keywordsamorphous semiconductors
subject keywordsn gallium compounds
subject keywordsn indium compounds
subject keywordsn semiconductor thin films
subject keywordsn surface roughness
subject keywordsn thin film transistors
subject keywordsn zinc compounds
subject keywordsn InGaZnO
subject keywordsn active layer thickness effect
subject keywordsn bottom-gate top-contact architectures
subject keywordsn electrical characteristics
subject keywordsn electrical properties
subject keywordsn multistacked active layer
subject keywordsn on-off ration
subject keywordsn solution-processed a-IGZO TFTs
subject keywordsn stacking layers
subject keywordsn subthreshold swing
subject keywordsn surface roughness
subject keywordsn threshold voltage
identifier doi10.1109/AM-FPD.2014.6867142
journal titlelectricity Distribution (CICED), 2014 China International Conference on
filesize519286
citations1
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace