•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Analysis of pre-patterns in the specification of the interaction design for Digital TV

نویسنده:
Mendes, M.S.
,
Furtado, E.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/IITC.2014.6831870
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1064940
کلیدواژه(گان): CMOS integrated circuits,n integrated circuit interconnections,n three-dimensional integrated circuits,n PMD oxide,n contact protection layer,n keep out zone process development,n middle of line layer stack,n planar CMOS technology,n size 20 nm,n via middle TSV,n Annealing,n Copper,n Silicon,n Tensile stress,n Threshold voltage,n Through-silicon vias
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Analysis of pre-patterns in the specification of the interaction design for Digital TV

Show full item record

contributor authorMendes, M.S.
contributor authorFurtado, E.
date accessioned2020-03-12T21:54:53Z
date available2020-03-12T21:54:53Z
date issued2014
identifier other6965149.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1064940
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleAnalysis of pre-patterns in the specification of the interaction design for Digital TV
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8198140
subject keywordsCMOS integrated circuits
subject keywordsn integrated circuit interconnections
subject keywordsn three-dimensional integrated circuits
subject keywordsn PMD oxide
subject keywordsn contact protection layer
subject keywordsn keep out zone process development
subject keywordsn middle of line layer stack
subject keywordsn planar CMOS technology
subject keywordsn size 20 nm
subject keywordsn via middle TSV
subject keywordsn Annealing
subject keywordsn Copper
subject keywordsn Silicon
subject keywordsn Tensile stress
subject keywordsn Threshold voltage
subject keywordsn Through-silicon vias
identifier doi10.1109/IITC.2014.6831870
journal titleomputing Conference (CLEI), 2014 XL Latin American
filesize3391418
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace