•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Ultra high step-down converter

نویسنده:
Yau, Y.T. , Hwu, K.I.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/SISPAD.2014.6931590
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1014478
کلیدواژه(گان): flash memories,logic design,silicon compounds,technology CAD (electronics),2D write and erase model,DAHE,FN tunneling,SiN,TCAD,flash memory P-channel cell structure,Data models,Films,Logic gates,Optimization,Programming,Silicon compounds,Tunneling,Flash Memory,P-Channel,SONOS,TCAD,Two-Bit
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Ultra high step-down converter

Show full item record

contributor authorYau, Y.T. , Hwu, K.I.
date accessioned2020-03-12T20:26:13Z
date available2020-03-12T20:26:13Z
date issued2014
identifier other6869983.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1014478?locale-attribute=fa
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleUltra high step-down converter
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8137879
subject keywordsflash memories
subject keywordslogic design
subject keywordssilicon compounds
subject keywordstechnology CAD (electronics)
subject keywords2D write and erase model
subject keywordsDAHE
subject keywordsFN tunneling
subject keywordsSiN
subject keywordsTCAD
subject keywordsflash memory P-channel cell structure
subject keywordsData models
subject keywordsFilms
subject keywordsLogic gates
subject keywordsOptimization
subject keywordsProgramming
subject keywordsSilicon compounds
subject keywordsTunneling
subject keywordsFlash Memory
subject keywordsP-Channel
subject keywordsSONOS
subject keywordsTCAD
subject keywordsTwo-Bit
identifier doi10.1109/SISPAD.2014.6931590
journal titleower Electronics Conference (IPEC-Hiroshima 2014 - ECCE-ASIA), 2014 International
filesize1275623
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace