•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

The effect of atomic layer deposition temperature on switching properties of HfOx resistive RAM devices

نویسنده:
Morgan, K.A.
,
Ruomeng Huang
,
Pearce, S.
,
De Groot, C.H.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/i-Society.2014.7009029
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1011346
کلیدواژه(گان): government data processing,Kingdom of Bahrain,citizens acceptance,citizens readiness,discomfort,e-participation tools,innovation,insecurity,optimum,policy making process,transparency,use-of-technology,Educational institutions,Electronic government,Indexes,Information technology,Optimized production technology,Technological innovation,E-participation,acceptance,adoption,citizens,e-Democracy,readiness
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    The effect of atomic layer deposition temperature on switching properties of HfOx resistive RAM devices

Show full item record

contributor authorMorgan, K.A.
contributor authorRuomeng Huang
contributor authorPearce, S.
contributor authorDe Groot, C.H.
date accessioned2020-03-12T20:21:08Z
date available2020-03-12T20:21:08Z
date issued2014
identifier other6865158.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1011346
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleThe effect of atomic layer deposition temperature on switching properties of HfOx resistive RAM devices
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8133869
subject keywordsgovernment data processing
subject keywordsKingdom of Bahrain
subject keywordscitizens acceptance
subject keywordscitizens readiness
subject keywordsdiscomfort
subject keywordse-participation tools
subject keywordsinnovation
subject keywordsinsecurity
subject keywordsoptimum
subject keywordspolicy making process
subject keywordstransparency
subject keywordsuse-of-technology
subject keywordsEducational institutions
subject keywordsElectronic government
subject keywordsIndexes
subject keywordsInformation technology
subject keywordsOptimized production technology
subject keywordsTechnological innovation
subject keywordsE-participation
subject keywordsacceptance
subject keywordsadoption
subject keywordscitizens
subject keywordse-Democracy
subject keywordsreadiness
identifier doi10.1109/i-Society.2014.7009029
journal titleircuits and Systems (ISCAS), 2014 IEEE International Symposium on
filesize1232812
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace