•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Parasitics-Aware Design of Symmetric and Asymmetric Gate-Workfunction FinFET SRAMs

نویسنده:
Bhoj, Ajay N.
,
Jha, Niraj K.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/TVLSI.2013.2252031
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/956499
کلیدواژه(گان): MOSFET,SRAM chips,logic design,technology CAD (electronics),asymmetric gate workfunction FinFET SRAM,fin pitches,mixed mode 2D TCAD technology circuit codesign methodology,mixed mode transient device simulations,multigate FET technology,parasitic capacitances,parasitics aware design,planar CMOS technology,silicon on insulator process,size 22 nm,structure synthesis algorithms,transport analysis,FinFET,SRAM,multigate FET,parasitics,structure synthesis
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Parasitics-Aware Design of Symmetric and Asymmetric Gate-Workfunction FinFET SRAMs

Show full item record

contributor authorBhoj, Ajay N.
contributor authorJha, Niraj K.
date accessioned2020-03-12T18:22:47Z
date available2020-03-12T18:22:47Z
date issued2014
identifier issn1063-8210
identifier other6502262.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/956499
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleParasitics-Aware Design of Symmetric and Asymmetric Gate-Workfunction FinFET SRAMs
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid7988542
subject keywordsMOSFET
subject keywordsSRAM chips
subject keywordslogic design
subject keywordstechnology CAD (electronics)
subject keywordsasymmetric gate workfunction FinFET SRAM
subject keywordsfin pitches
subject keywordsmixed mode 2D TCAD technology circuit codesign methodology
subject keywordsmixed mode transient device simulations
subject keywordsmultigate FET technology
subject keywordsparasitic capacitances
subject keywordsparasitics aware design
subject keywordsplanar CMOS technology
subject keywordssilicon on insulator process
subject keywordssize 22 nm
subject keywordsstructure synthesis algorithms
subject keywordstransport analysis
subject keywordsFinFET
subject keywordsSRAM
subject keywordsmultigate FET
subject keywordsparasitics
subject keywordsstructure synthesis
identifier doi10.1109/TVLSI.2013.2252031
journal titleVery Large Scale Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions on
journal volume22
journal issue3
filesize2365974
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace