Dielectric Properties of Nanostructured Bi4Ti3O12 and Bi12TiO20 Films Prepared by Sol-Gel Method

بررسی خواص دی الکتریکی لایه‌های نانوساختار Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 تهیه شده به روش سل- ژل

Author:

Publisher:

Year

: 1397

Abstract: هدف از این تحقیق، سنتز و مشخصه یابی لایه‌های نانوساختار تیتانات بیسموت با دو ترکیب Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 به روش سل- ژل می باشد. همچنین تغییرات خواص دی الکتریک نمونه‌های تهیه شده با دمای آنیل و فرکانس اعمالی مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفت. در این راستا دو محلول سل مختلف با نسبت‌های مولار مشخص از مواد اولیه به روش سل- ژل تهیه و پس از لایه نشانی خشک و سپس در دماهای مختلف 300 تا 700 درجه سانتیگراد آنیل شدند. به منظور بررسی ساختار و خواص لایه‌های سنتز شده از دستگاه‌های آنالیز طیفسنج مادون قرمز، پراش اسعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و LCRمتر استفاده شد. بررسی‌های فازی نمونه‌ها به وسیله پراش اسعه ایکس حاکی از تشکیل ترکیبات Bi4Ti3O12 با ساختار اورتورومبيک و Bi12TiO20 با ساختار مکعبي می‌باشند که در دماي600 درجه سانتیگراد به مدت یک ساعت به طور کامل کريستاله شده‌اند. نتایج آزمایشات خواص دی الکتریک نشان داد که با افزایش دمای آنیل، ثابت دي الکتريک و اتلاف دي الکتريک در هر دو نمونه افزايش یافتند. همچنین با افزايش فرکانس، ثابت دي‌الکتريک نمونه‌ها کاهش و تلفات دي الکتريک آن‌ها افزایش مي‌يابد.

DOI: 10.22067/ma.v30i1.49564

URI: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/3333243

Keyword(s): Bismuth Titanate,تیتانات بیسموت,Nanostructured Films,Sol-Gel Process,Microstructure,Dielectric Properties,Characterization,لایه نانوساختار,فرایند سل- ژل,ریزساختار,مشخصه‌یابی

Collections :

OJS Articles

Show Full MetaData Hide Full MetaData
Statistics

Dielectric Properties of Nanostructured Bi4Ti3O12 and Bi12TiO20 Films Prepared by Sol-Gel Method

Show full item record

contributor author	Abbas Sadeghzadeh-Attar
contributor author	عباس صادق زاده عطار	Fa
date accessioned	2020-06-05T11:18:40Z
date available	2020-06-05T11:18:40Z
date copyright	2018-09-05 00:00:00
date issued	1397
identifier uri	http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/3333243?locale-attribute=en
description abstract	هدف از این تحقیق، سنتز و مشخصه یابی لایه‌های نانوساختار تیتانات بیسموت با دو ترکیب Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 به روش سل- ژل می باشد. همچنین تغییرات خواص دی الکتریک نمونه‌های تهیه شده با دمای آنیل و فرکانس اعمالی مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفت. در این راستا دو محلول سل مختلف با نسبت‌های مولار مشخص از مواد اولیه به روش سل- ژل تهیه و پس از لایه نشانی خشک و سپس در دماهای مختلف 300 تا 700 درجه سانتیگراد آنیل شدند. به منظور بررسی ساختار و خواص لایه‌های سنتز شده از دستگاه‌های آنالیز طیفسنج مادون قرمز، پراش اسعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و LCRمتر استفاده شد. بررسی‌های فازی نمونه‌ها به وسیله پراش اسعه ایکس حاکی از تشکیل ترکیبات Bi4Ti3O12 با ساختار اورتورومبيک و Bi12TiO20 با ساختار مکعبي می‌باشند که در دماي600 درجه سانتیگراد به مدت یک ساعت به طور کامل کريستاله شده‌اند. نتایج آزمایشات خواص دی الکتریک نشان داد که با افزایش دمای آنیل، ثابت دي الکتريک و اتلاف دي الکتريک در هر دو نمونه افزايش یافتند. همچنین با افزايش فرکانس، ثابت دي‌الکتريک نمونه‌ها کاهش و تلفات دي الکتريک آن‌ها افزایش مي‌يابد.	Fa
publisher	Ferdowsi University of Mashhad Press
publisher	انتشارات دانشگاه فردوسی مشهد	Fa
title	Dielectric Properties of Nanostructured Bi4Ti3O12 and Bi12TiO20 Films Prepared by Sol-Gel Method
title	بررسی خواص دی الکتریکی لایه‌های نانوساختار Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 تهیه شده به روش سل- ژل	Fa
contenttype	External Fulltext
subject keywords	Bismuth Titanate
subject keywords	تیتانات بیسموت	Fa
subject keywords	Nanostructured Films
subject keywords	Sol-Gel Process
subject keywords	Microstructure
subject keywords	Dielectric Properties
subject keywords	Characterization
subject keywords	لایه نانوساختار
subject keywords	فرایند سل- ژل
subject keywords	ریزساختار
subject keywords	مشخصه‌یابی
identifier doi	10.22067/ma.v30i1.49564
journal title	Journal of Metallurgical and Materials Engineering
journal title	مهندسی متالورژی و مواد	Fa
journal volume	30
journal issue	2002
identifier link	https://jmme.um.ac.ir/article/view/49564/
series	دوره 30 شماره 1
identifier ojsid	49564