Dielectric Properties of Nanostructured Bi4Ti3O12 and Bi12TiO20 Films Prepared by Sol-Gel Method
بررسی خواص دی الکتریکی لایه‌های نانوساختار Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 تهیه شده به روش سل- ژل
سال
: 1397
چکیده: هدف از این تحقیق، سنتز و مشخصه یابی لایه‌های نانوساختار تیتانات بیسموت با دو ترکیب Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 به روش سل- ژل می باشد. همچنین تغییرات خواص دی الکتریک نمونه‌های تهیه شده با دمای آنیل و فرکانس اعمالی مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفت. در این راستا دو محلول سل مختلف با نسبت‌های مولار مشخص از مواد اولیه به روش سل- ژل تهیه و پس از لایه نشانی خشک و سپس در دماهای مختلف 300 تا 700 درجه سانتیگراد آنیل شدند. به منظور بررسی ساختار و خواص لایه‌های سنتز شده از دستگاه‌های آنالیز طیفسنج مادون قرمز، پراش اسعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و LCRمتر استفاده شد. بررسی‌های فازی نمونه‌ها به وسیله پراش اسعه ایکس حاکی از تشکیل ترکیبات Bi4Ti3O12 با ساختار اورتورومبيک و Bi12TiO20 با ساختار مکعبي می‌باشند که در دماي600 درجه سانتیگراد به مدت یک ساعت به طور کامل کريستاله شده‌اند. نتایج آزمایشات خواص دی الکتریک نشان داد که با افزایش دمای آنیل، ثابت دي الکتريک و اتلاف دي الکتريک در هر دو نمونه افزايش یافتند. همچنین با افزايش فرکانس، ثابت دي‌الکتريک نمونه‌ها کاهش و تلفات دي الکتريک آن‌ها افزایش مي‌يابد.
شناسه الکترونیک: 10.22067/ma.v30i1.49564
کلیدواژه(گان): Bismuth Titanate,تیتانات بیسموت,Nanostructured Films,Sol-Gel Process,Microstructure,Dielectric Properties,Characterization,لایه نانوساختار,فرایند سل- ژل,ریزساختار,مشخصه‌یابی
کالکشن
:
-
آمار بازدید
Dielectric Properties of Nanostructured Bi4Ti3O12 and Bi12TiO20 Films Prepared by Sol-Gel Method
Show full item record
| contributor author | Abbas Sadeghzadeh-Attar | |
| contributor author | عباس صادق زاده عطار | Fa |
| date accessioned | 2020-06-05T11:18:40Z | |
| date available | 2020-06-05T11:18:40Z | |
| date copyright | 2018-09-05 00:00:00 | |
| date issued | 1397 | |
| identifier uri | http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/3333243 | |
| description abstract | هدف از این تحقیق، سنتز و مشخصه یابی لایه‌های نانوساختار تیتانات بیسموت با دو ترکیب Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 به روش سل- ژل می باشد. همچنین تغییرات خواص دی الکتریک نمونه‌های تهیه شده با دمای آنیل و فرکانس اعمالی مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفت. در این راستا دو محلول سل مختلف با نسبت‌های مولار مشخص از مواد اولیه به روش سل- ژل تهیه و پس از لایه نشانی خشک و سپس در دماهای مختلف 300 تا 700 درجه سانتیگراد آنیل شدند. به منظور بررسی ساختار و خواص لایه‌های سنتز شده از دستگاه‌های آنالیز طیفسنج مادون قرمز، پراش اسعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و LCRمتر استفاده شد. بررسی‌های فازی نمونه‌ها به وسیله پراش اسعه ایکس حاکی از تشکیل ترکیبات Bi4Ti3O12 با ساختار اورتورومبيک و Bi12TiO20 با ساختار مکعبي می‌باشند که در دماي600 درجه سانتیگراد به مدت یک ساعت به طور کامل کريستاله شده‌اند. نتایج آزمایشات خواص دی الکتریک نشان داد که با افزایش دمای آنیل، ثابت دي الکتريک و اتلاف دي الکتريک در هر دو نمونه افزايش یافتند. همچنین با افزايش فرکانس، ثابت دي‌الکتريک نمونه‌ها کاهش و تلفات دي الکتريک آن‌ها افزایش مي‌يابد. | Fa |
| publisher | Ferdowsi University of Mashhad Press | |
| publisher | انتشارات دانشگاه فردوسی مشهد | Fa |
| title | Dielectric Properties of Nanostructured Bi4Ti3O12 and Bi12TiO20 Films Prepared by Sol-Gel Method | |
| title | بررسی خواص دی الکتریکی لایه‌های نانوساختار Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 تهیه شده به روش سل- ژل | Fa |
| contenttype | External Fulltext | |
| subject keywords | Bismuth Titanate | |
| subject keywords | تیتانات بیسموت | Fa |
| subject keywords | Nanostructured Films | |
| subject keywords | Sol-Gel Process | |
| subject keywords | Microstructure | |
| subject keywords | Dielectric Properties | |
| subject keywords | Characterization | |
| subject keywords | لایه نانوساختار | |
| subject keywords | فرایند سل- ژل | |
| subject keywords | ریزساختار | |
| subject keywords | مشخصه‌یابی | |
| identifier doi | 10.22067/ma.v30i1.49564 | |
| journal title | Journal of Metallurgical and Materials Engineering | |
| journal title | مهندسی متالورژی و مواد | Fa |
| journal volume | 30 | |
| journal issue | 2002 | |
| identifier link | https://jmme.um.ac.ir/article/view/49564/ | |
| series | دوره 30 شماره 1 | |
| identifier ojsid | 49564 |