•  English
    • Persian
    • English
  •   Login
  • Ferdowsi University of Mashhad
  • |
  • Information Center and Central Library
    • Persian
    • English
  • Home
  • Source Types
    • Journal Paper
    • Ebook
    • Conference Paper
    • Standard
    • Protocol
    • Thesis
  • Use Help
View Item 
  •   FUM Digital Library
  • Fum
  • Articles
  • OJS Articles
  • View Item
  •   FUM Digital Library
  • Fum
  • Articles
  • OJS Articles
  • View Item
  • All Fields
  • Title
  • Author
  • Year
  • Publisher
  • Subject
  • Publication Title
  • ISSN
  • DOI
  • ISBN
Advanced Search
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Dielectric Properties of Nanostructured Bi4Ti3O12 and Bi12TiO20 Films Prepared by Sol-Gel Method

بررسی خواص دی الکتریکی لایه‌های نانوساختار Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 تهیه شده به روش سل- ژل

Author:
Abbas Sadeghzadeh-Attar
,
عباس صادق زاده عطار
Publisher:
Ferdowsi University of Mashhad Press
Year
: 1397
Abstract: هدف از این تحقیق، سنتز و مشخصه یابی لایه‌های نانوساختار تیتانات بیسموت با دو ترکیب Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 به روش سل- ژل  می باشد. همچنین تغییرات خواص دی الکتریک نمونه‌های تهیه شده با دمای آنیل و فرکانس اعمالی مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفت. در این راستا دو محلول سل مختلف با نسبت‌های مولار مشخص از مواد اولیه به روش سل- ژل تهیه و پس از لایه نشانی خشک و سپس در دماهای مختلف 300 تا 700 درجه سانتیگراد آنیل شدند. به منظور بررسی ساختار و خواص لایه‌های سنتز شده از دستگاه‌های آنالیز طیفسنج مادون قرمز، پراش اسعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و LCRمتر استفاده شد. بررسی‌های فازی نمونه‌ها به وسیله پراش اسعه ایکس حاکی از تشکیل ترکیبات Bi4Ti3O12 با ساختار اورتورومبيک و Bi12TiO20 با ساختار مکعبي می‌باشند که در دماي600 درجه سانتیگراد به مدت یک ساعت به طور کامل کريستاله شده‌اند. نتایج آزمایشات خواص دی الکتریک نشان داد که با افزایش دمای آنیل، ثابت دي الکتريک و اتلاف دي الکتريک در هر دو نمونه افزايش یافتند. همچنین با افزايش فرکانس، ثابت دي‌الکتريک نمونه‌ها کاهش و تلفات دي الکتريک آن‌ها افزایش مي‌يابد.
DOI: 10.22067/ma.v30i1.49564
URI: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/3333243
Keyword(s): Bismuth Titanate,تیتانات بیسموت,Nanostructured Films,Sol-Gel Process,Microstructure,Dielectric Properties,Characterization,لایه نانوساختار,فرایند سل- ژل,ریزساختار,مشخصه‌یابی
Collections :
  • OJS Articles
  • Show Full MetaData Hide Full MetaData
  • Statistics

    Dielectric Properties of Nanostructured Bi4Ti3O12 and Bi12TiO20 Films Prepared by Sol-Gel Method

Show full item record

contributor authorAbbas Sadeghzadeh-Attar
contributor authorعباس صادق زاده عطارFa
date accessioned2020-06-05T11:18:40Z
date available2020-06-05T11:18:40Z
date copyright2018-09-05 00:00:00
date issued1397
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/3333243
description abstractهدف از این تحقیق، سنتز و مشخصه یابی لایه‌های نانوساختار تیتانات بیسموت با دو ترکیب Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 به روش سل- ژل  می باشد. همچنین تغییرات خواص دی الکتریک نمونه‌های تهیه شده با دمای آنیل و فرکانس اعمالی مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفت. در این راستا دو محلول سل مختلف با نسبت‌های مولار مشخص از مواد اولیه به روش سل- ژل تهیه و پس از لایه نشانی خشک و سپس در دماهای مختلف 300 تا 700 درجه سانتیگراد آنیل شدند. به منظور بررسی ساختار و خواص لایه‌های سنتز شده از دستگاه‌های آنالیز طیفسنج مادون قرمز، پراش اسعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و LCRمتر استفاده شد. بررسی‌های فازی نمونه‌ها به وسیله پراش اسعه ایکس حاکی از تشکیل ترکیبات Bi4Ti3O12 با ساختار اورتورومبيک و Bi12TiO20 با ساختار مکعبي می‌باشند که در دماي600 درجه سانتیگراد به مدت یک ساعت به طور کامل کريستاله شده‌اند. نتایج آزمایشات خواص دی الکتریک نشان داد که با افزایش دمای آنیل، ثابت دي الکتريک و اتلاف دي الکتريک در هر دو نمونه افزايش یافتند. همچنین با افزايش فرکانس، ثابت دي‌الکتريک نمونه‌ها کاهش و تلفات دي الکتريک آن‌ها افزایش مي‌يابد.Fa
publisherFerdowsi University of Mashhad Press
publisherانتشارات دانشگاه فردوسی مشهدFa
titleDielectric Properties of Nanostructured Bi4Ti3O12 and Bi12TiO20 Films Prepared by Sol-Gel Method
titleبررسی خواص دی الکتریکی لایه‌های نانوساختار Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 تهیه شده به روش سل- ژلFa
contenttypeExternal Fulltext
subject keywordsBismuth Titanate
subject keywordsتیتانات بیسموتFa
subject keywordsNanostructured Films
subject keywordsSol-Gel Process
subject keywordsMicrostructure
subject keywordsDielectric Properties
subject keywordsCharacterization
subject keywordsلایه نانوساختار
subject keywordsفرایند سل- ژل
subject keywordsریزساختار
subject keywordsمشخصه‌یابی
identifier doi10.22067/ma.v30i1.49564
journal titleJournal of Metallurgical and Materials Engineering
journal titleمهندسی متالورژی و موادFa
journal volume30
journal issue2002
identifier linkhttps://jmme.um.ac.ir/article/view/49564/
seriesدوره 30 شماره 1
identifier ojsid49564
  • About Us
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace