•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Single Event Hard Errors in SRAM Under Heavy Ion Irradiation

نویسنده:
Haran, Avner
,
Barak, Joseph
,
David, David
,
Keren, Eitan
,
Refaeli, Nati
,
Rapaport, Shimshon
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/TNS.2014.2345697
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1143786
کلیدواژه(گان): SRAM chips,ion beam effects,SRAM,gate oxide,heavy ion irradiation,microdose effect,single-event hard errors,static random-access memories,Annealing,Ions,Logic gates,Radiation effects,SDRAM,Transistors,Angular dependence,charge yield,microdose,radiation induced leakage current (RILC),single-event hard error (SHE),soft breakdown (SBD),stuck bits
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Single Event Hard Errors in SRAM Under Heavy Ion Irradiation

Show full item record

contributor authorHaran, Avner
contributor authorBarak, Joseph
contributor authorDavid, David
contributor authorKeren, Eitan
contributor authorRefaeli, Nati
contributor authorRapaport, Shimshon
date accessioned2020-03-13T00:21:36Z
date available2020-03-13T00:21:36Z
date issued2014
identifier issn0018-9499
identifier other6894241.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1143786
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleSingle Event Hard Errors in SRAM Under Heavy Ion Irradiation
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8326426
subject keywordsSRAM chips
subject keywordsion beam effects
subject keywordsSRAM
subject keywordsgate oxide
subject keywordsheavy ion irradiation
subject keywordsmicrodose effect
subject keywordssingle-event hard errors
subject keywordsstatic random-access memories
subject keywordsAnnealing
subject keywordsIons
subject keywordsLogic gates
subject keywordsRadiation effects
subject keywordsSDRAM
subject keywordsTransistors
subject keywordsAngular dependence
subject keywordscharge yield
subject keywordsmicrodose
subject keywordsradiation induced leakage current (RILC)
subject keywordssingle-event hard error (SHE)
subject keywordssoft breakdown (SBD)
subject keywordsstuck bits
identifier doi10.1109/TNS.2014.2345697
journal titleNuclear Science, IEEE Transactions on
journal volume61
journal issue5
filesize1283214
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace