•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Challenges for InGaAs n-MOSFETs in the future generation sub-10nm CMOS logic devices

نویسنده:
Ming-Fu Li
,
Shenwei Li
,
Daming Huang
,
Ye, P.D.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/EuCAP.2014.6902325
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1092643
کلیدواژه(گان): anisotropic media,n dielectric function,n dielectric polarisation,n electromagnetic metamaterials,n magnetic anisotropy,n magnetoelectric effects,n permittivity,n Floquet representation,n artificial magnetism,n bianisotropy,n closed-form expressions,n higher-order spatial dispersion effects,n local effective electromagnetic constitutive parameters,n local nondispersive permittivity,n magnetoelectric coupling parameters,n nonlocal spatially dispersive
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Challenges for InGaAs n-MOSFETs in the future generation sub-10nm CMOS logic devices

Show full item record

contributor authorMing-Fu Li
contributor authorShenwei Li
contributor authorDaming Huang
contributor authorYe, P.D.
date accessioned2020-03-12T22:43:52Z
date available2020-03-12T22:43:52Z
date issued2014
identifier other7021326.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1092643
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleChallenges for InGaAs n-MOSFETs in the future generation sub-10nm CMOS logic devices
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8231830
subject keywordsanisotropic media
subject keywordsn dielectric function
subject keywordsn dielectric polarisation
subject keywordsn electromagnetic metamaterials
subject keywordsn magnetic anisotropy
subject keywordsn magnetoelectric effects
subject keywordsn permittivity
subject keywordsn Floquet representation
subject keywordsn artificial magnetism
subject keywordsn bianisotropy
subject keywordsn closed-form expressions
subject keywordsn higher-order spatial dispersion effects
subject keywordsn local effective electromagnetic constitutive parameters
subject keywordsn local nondispersive permittivity
subject keywordsn magnetoelectric coupling parameters
subject keywordsn nonlocal spatially dispersive
identifier doi10.1109/EuCAP.2014.6902325
journal titleolid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2014 12th IEEE International Conference on
filesize2789797
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace