•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Policy Design Based on Risk at Big Data Era: Case Study of Privacy Invasion in South Korea

نویسنده:
Moon, Hyejung , Cho, Hyun Suk , Jeong, Seo Hwa , Park, Jangho
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/ICACCCT.2014.7019480
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1025731
کلیدواژه(گان): MOSFET,MRAM devices,magnetic tunnelling,1-MTJ based STT-MRAM bitcell,DGMOSFET,DIBL,FinFET based STT-MRAM bitcell,HSPICE,SCE,drain-induced barrier lowering,gate-dielectric leakage,read failure,short-channel effect,subthreshold leakage,write failure,FinFETs,MOSFET circuits,Magnetic tunneling,Nanoscale devices,Switches,System-on-chip,FinFET,MRAM,MTJ,read margin,write margin
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Policy Design Based on Risk at Big Data Era: Case Study of Privacy Invasion in South Korea

Show full item record

date accessioned2020-03-12T20:47:41Z
date available2020-03-12T20:47:41Z
date issued2014
identifier other6906854.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1025731
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titlePolicy Design Based on Risk at Big Data Era: Case Study of Privacy Invasion in South Korea
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8150739
subject keywordsMOSFET
subject keywordsMRAM devices
subject keywordsmagnetic tunnelling
subject keywords1-MTJ based STT-MRAM bitcell
subject keywordsDGMOSFET
subject keywordsDIBL
subject keywordsFinFET based STT-MRAM bitcell
subject keywordsHSPICE
subject keywordsSCE
subject keywordsdrain-induced barrier lowering
subject keywordsgate-dielectric leakage
subject keywordsread failure
subject keywordsshort-channel effect
subject keywordssubthreshold leakage
subject keywordswrite failure
subject keywordsFinFETs
subject keywordsMOSFET circuits
subject keywordsMagnetic tunneling
subject keywordsNanoscale devices
subject keywordsSwitches
subject keywordsSystem-on-chip
subject keywordsFinFET
subject keywordsMRAM
subject keywordsMTJ
subject keywordsread margin
subject keywordswrite margin
identifier doi10.1109/ICACCCT.2014.7019480
journal titleig Data (BigData Congress), 2014 IEEE International Congress on
filesize554214
citations0
contributor rawauthorMoon, Hyejung , Cho, Hyun Suk , Jeong, Seo Hwa , Park, Jangho
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace