•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Opportunistic High Energy Physics Computing in User Space with Parrot

نویسنده:
Skeehan, D. , Brenner, P. , Tovar, B. , Thain, D. , Valls, N. , Woodard, A. , Wolf, M. , Pearson, T. , Lynch, S. , Lannon, K.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/ICSICT.2014.7021392
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/998795
کلیدواژه(گان): field effect transistors,semiconductor doping,thermal diffusion,tunnelling,TFET,ambipolar characteristics,drain doping concentration,high on-current tunneling field effect transistor fabrication,rapid thermal diffusion,spin-on-dopant investigation,surface doping concentration,Boron,Doping,Films,MOS devices,Phosphors,Silicon,Surface treatment
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Opportunistic High Energy Physics Computing in User Space with Parrot

Show full item record

date accessioned2020-03-12T20:01:11Z
date available2020-03-12T20:01:11Z
date issued2014
identifier other6846452.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/998795?locale-attribute=fa
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleOpportunistic High Energy Physics Computing in User Space with Parrot
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8119038
subject keywordsfield effect transistors
subject keywordssemiconductor doping
subject keywordsthermal diffusion
subject keywordstunnelling
subject keywordsTFET
subject keywordsambipolar characteristics
subject keywordsdrain doping concentration
subject keywordshigh on-current tunneling field effect transistor fabrication
subject keywordsrapid thermal diffusion
subject keywordsspin-on-dopant investigation
subject keywordssurface doping concentration
subject keywordsBoron
subject keywordsDoping
subject keywordsFilms
subject keywordsMOS devices
subject keywordsPhosphors
subject keywordsSilicon
subject keywordsSurface treatment
identifier doi10.1109/ICSICT.2014.7021392
journal titleluster, Cloud and Grid Computing (CCGrid), 2014 14th IEEE/ACM International Symposium on
filesize303680
citations0
contributor rawauthorSkeehan, D. , Brenner, P. , Tovar, B. , Thain, D. , Valls, N. , Woodard, A. , Wolf, M. , Pearson, T. , Lynch, S. , Lannon, K.
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace