•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Dynamic Infrared Lifetime Mapping for the Measurement of the Saturation Current Density of Highly Doped Regions in Silicon

نویسنده:
Muller, Johannes
,
Hannebauer, Helge
,
Mader, Christoph
,
Haase, Frerk
,
Bothe, Klaus
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/JPHOTOV.2013.2293062
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/963639
کلیدواژه(گان): carrier density,carrier lifetime,electrical resistivity,elemental semiconductors,phosphorus,photoconductivity,silicon,Si:P,camera signal,charge-carrier density,dynamic ILM technique,dynamic infrared lifetime mapping,highly doped regions,injection dependent lifetimes,modulated sample temperature,phosphorous diffused samples,photo-conductance decay measurements,saturation current density measurement,sheet resistances,textured samples,Cameras,Charge carriers,Density measuremen
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Dynamic Infrared Lifetime Mapping for the Measurement of the Saturation Current Density of Highly Doped Regions in Silicon

Show full item record

contributor authorMuller, Johannes
contributor authorHannebauer, Helge
contributor authorMader, Christoph
contributor authorHaase, Frerk
contributor authorBothe, Klaus
date accessioned2020-03-12T18:35:34Z
date available2020-03-12T18:35:34Z
date issued2014
identifier issn2156-3381
identifier other6680662.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/963639
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleDynamic Infrared Lifetime Mapping for the Measurement of the Saturation Current Density of Highly Doped Regions in Silicon
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid7996985
subject keywordscarrier density
subject keywordscarrier lifetime
subject keywordselectrical resistivity
subject keywordselemental semiconductors
subject keywordsphosphorus
subject keywordsphotoconductivity
subject keywordssilicon
subject keywordsSi:P
subject keywordscamera signal
subject keywordscharge-carrier density
subject keywordsdynamic ILM technique
subject keywordsdynamic infrared lifetime mapping
subject keywordshighly doped regions
subject keywordsinjection dependent lifetimes
subject keywordsmodulated sample temperature
subject keywordsphosphorous diffused samples
subject keywordsphoto-conductance decay measurements
subject keywordssaturation current density measurement
subject keywordssheet resistances
subject keywordstextured samples
subject keywordsCameras
subject keywordsCharge carriers
subject keywordsDensity measuremen
identifier doi10.1109/JPHOTOV.2013.2293062
journal titlePhotovoltaics, IEEE Journal of
journal volume4
journal issue2
filesize702991
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace