•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

[IEEE 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Washington, DC, USA (2011.12.5-2011.12.7)] 2011 International Electron Devices Meeting - Fabrication, characterization, and physics of III–V heterojunction tunneling Field Effect Transistors (H-TFET) for steep sub-threshold swing

نویسنده:
Dewey, G.
,
Chu-Kung, B.
,
Boardman, J.
,
Fastenau, J. M.
,
Kavalieros, J.
,
Kotlyar, R.
,
Liu, W. K.
,
Lubyshev, D.
,
Metz, M.
,
Mukherjee, N.
,
Oakey, P.
,
Pillarisetty, R.
,
Radosavljevic, M.
,
Then, H. W.
,
Chau, R.
سال
: 2011
شناسه الکترونیک: 10.1109/IEDM.2011.6131666
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/562342
کالکشن :
  • Latin Articles
  • دانلود: (620.6Kb)
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    [IEEE 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Washington, DC, USA (2011.12.5-2011.12.7)] 2011 International Electron Devices Meeting - Fabrication, characterization, and physics of III–V heterojunction tunneling Field Effect Transistors (H-TFET) for steep sub-threshold swing

Show full item record

contributor authorDewey, G.
contributor authorChu-Kung, B.
contributor authorBoardman, J.
contributor authorFastenau, J. M.
contributor authorKavalieros, J.
contributor authorKotlyar, R.
contributor authorLiu, W. K.
contributor authorLubyshev, D.
contributor authorMetz, M.
contributor authorMukherjee, N.
contributor authorOakey, P.
contributor authorPillarisetty, R.
contributor authorRadosavljevic, M.
contributor authorThen, H. W.
contributor authorChau, R.
date accessioned2020-03-11T14:36:47Z
date available2020-03-11T14:36:47Z
date issued2011
identifier otherzNGsFD0TJNQWjh2aF2Iv4D2u8XxpVnRfnmNv0WGHzcnFLeMDyr.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/562342?locale-attribute=fa
formatgeneral
languageEnglish
title[IEEE 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Washington, DC, USA (2011.12.5-2011.12.7)] 2011 International Electron Devices Meeting - Fabrication, characterization, and physics of III–V heterojunction tunneling Field Effect Transistors (H-TFET) for steep sub-threshold swing
typeJournal Paper
contenttypeFulltext
contenttypeFulltext
identifier padid4368517
identifier doi10.1109/IEDM.2011.6131666
journal titleOsmania Journal of Social Sciences
coverageAcademic
pages33.6.1-33.6.4
filesize635341
citations3
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace