محاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت درMOSFET های کانال کوتاه
سال
: 2010
چکیده: در این مقاله مدلی برای جریان تونل زنی گیت در ماسفت های با اکسید گیت خیلی نازک ارایه شده است. در این مدل، با در نظر گرفتن لایه وارونگی به شکل چاه پتانسیل و ساده سازی ها و محاسبه ضخامت این چاه، تابع موج الکترون ها در واسط میان نیمه هادی و اکسید را محاسبه می
کلیدواژه(گان): تابع موج، چاه پتانسیل، چگالی جریان تونل زنی
کالکشن
:
-
آمار بازدید
محاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت درMOSFET های کانال کوتاه
Show full item record
| contributor author | ایمان عباس پور کازرونی | en |
| contributor author | سید ابراهیم حسینی | en |
| contributor author | محسن خانی پرشکوه | en |
| contributor author | Seyed Ebrahim Hosseini | fa |
| date accessioned | 2020-06-06T14:05:19Z | |
| date available | 2020-06-06T14:05:19Z | |
| date copyright | 5/11/2010 | |
| date issued | 2010 | |
| identifier uri | https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/3381894 | |
| description abstract | در این مقاله مدلی برای جریان تونل زنی گیت در ماسفت های با اکسید گیت خیلی نازک ارایه شده است. در این مدل، با در نظر گرفتن لایه وارونگی به شکل چاه پتانسیل و ساده سازی ها و محاسبه ضخامت این چاه، تابع موج الکترون ها در واسط میان نیمه هادی و اکسید را محاسبه می | fa |
| language | Farsi | |
| title | محاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت درMOSFET های کانال کوتاه | fa |
| type | Conference Paper | |
| contenttype | External Fulltext | |
| subject keywords | تابع موج، چاه پتانسیل، چگالی جریان تونل زنی | fa |
| identifier link | https://profdoc.um.ac.ir/paper-abstract-1026926.html | |
| conference title | هجدهمین کنفرانس مهندسی برق | fa |
| conference location | اصفهان | fa |
| identifier articleid | 1026926 |