•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Analytical modeling of potential distribution in trigate SOI MOSFETs

نویسنده:
Hamdam Ghanatian
,
Seyed Ebrahim Hosseini
سال
: 2015
شناسه الکترونیک: 10.1109/IranianCEE.2015.7146405
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1227277
کالکشن :
  • Latin Articles
  • دانلود: (417.2Kb)
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Analytical modeling of potential distribution in trigate SOI MOSFETs

Show full item record

contributor authorHamdam Ghanatian
contributor authorSeyed Ebrahim Hosseini
date accessioned2020-03-13T06:07:43Z
date available2020-03-13T06:07:43Z
date issued2015
identifier otherD2P2yClq8UzDmahzvN1Dma5Gx07STIvoTA2LFBUkX5MnktTo39.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1227277
formatgeneral
languageEnglish
titleAnalytical modeling of potential distribution in trigate SOI MOSFETs
typeJournal Paper
contenttypeFulltext
contenttypeFulltext
identifier padid8919716
identifier doi10.1109/IranianCEE.2015.7146405
journal title2015 23rd Iranian Conference on Electrical Engineering
coverageAcademic
filesize427083
citations4
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace