•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

NMOS Device Optimization for the Design of a W-Band Double-Balanced Resistive Mixer

نویسنده:
Viallon, Christophe
,
Meneghin, Gregory
,
Parra, T.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/LMWC.2014.2332100
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1138084
کلیدواژه(گان): BiCMOS integrated circuits,Ge-Si alloys,MOSFET,integrated circuit design,millimetre wave integrated circuits,millimetre wave mixers,optimisation,passive networks,BiCMOS technology,DSB noise figure,IF buffer,NMOS device optimization,RF buffer,SiGe,W-band double-balanced resistive mixer,double-balanced passive mixer,down-converter,electrical simulation,frequency 76.8 GHz,gain 1 dB,gain 14.5 dB,geometry,millimeter-wave mixer,noise figure 6.3 dB,passive ring mixer,size 130 n
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    NMOS Device Optimization for the Design of a W-Band Double-Balanced Resistive Mixer

Show full item record

contributor authorViallon, Christophe
contributor authorMeneghin, Gregory
contributor authorParra, T.
date accessioned2020-03-13T00:12:12Z
date available2020-03-13T00:12:12Z
date issued2014
identifier issn1531-1309
identifier other6848863.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1138084?locale-attribute=fa
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleNMOS Device Optimization for the Design of a W-Band Double-Balanced Resistive Mixer
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8320090
subject keywordsBiCMOS integrated circuits
subject keywordsGe-Si alloys
subject keywordsMOSFET
subject keywordsintegrated circuit design
subject keywordsmillimetre wave integrated circuits
subject keywordsmillimetre wave mixers
subject keywordsoptimisation
subject keywordspassive networks
subject keywordsBiCMOS technology
subject keywordsDSB noise figure
subject keywordsIF buffer
subject keywordsNMOS device optimization
subject keywordsRF buffer
subject keywordsSiGe
subject keywordsW-band double-balanced resistive mixer
subject keywordsdouble-balanced passive mixer
subject keywordsdown-converter
subject keywordselectrical simulation
subject keywordsfrequency 76.8 GHz
subject keywordsgain 1 dB
subject keywordsgain 14.5 dB
subject keywordsgeometry
subject keywordsmillimeter-wave mixer
subject keywordsnoise figure 6.3 dB
subject keywordspassive ring mixer
subject keywordssize 130 n
identifier doi10.1109/LMWC.2014.2332100
journal titleMicrowave and Wireless Components Letters, IEEE
journal volume24
journal issue9
filesize664979
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace