•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Multi-Drive Stacked-FET Power Amplifiers at 90 GHz in 45 nm SOI CMOS

نویسنده:
Agah, A.
,
Jayamon, Jefy Alex
,
Asbeck, P.M.
,
Larson, Lawrence E.
,
Buckwalter, James F.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/JSSC.2014.2308292
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1126519
کلیدواژه(گان): CMOS integrated circuits,field effect MIMIC,power amplifiers,silicon-on-insulator,SOI CMOS integrated circuit,frequency 90 GHz,gain 12 dB,gate resistance,multidrive stacked FET,power amplifier,size 45 nm,voltage 3.4 V,CMOS integrated circuits,Educational institutions,Field effect transistors,Logic gates,Power amplifiers,Power generation,Reliability,CMOS SOI,W-band,millimeter wave,multi-drive,power added efficiency,power amplifier,stacked-FET PA
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Multi-Drive Stacked-FET Power Amplifiers at 90 GHz in 45 nm SOI CMOS

Show full item record

contributor authorAgah, A.
contributor authorJayamon, Jefy Alex
contributor authorAsbeck, P.M.
contributor authorLarson, Lawrence E.
contributor authorBuckwalter, James F.
date accessioned2020-03-12T23:52:37Z
date available2020-03-12T23:52:37Z
date issued2014
identifier issn0018-9200
identifier other6767139.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1126519?locale-attribute=fa
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleMulti-Drive Stacked-FET Power Amplifiers at 90 GHz in 45 nm SOI CMOS
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8306377
subject keywordsCMOS integrated circuits
subject keywordsfield effect MIMIC
subject keywordspower amplifiers
subject keywordssilicon-on-insulator
subject keywordsSOI CMOS integrated circuit
subject keywordsfrequency 90 GHz
subject keywordsgain 12 dB
subject keywordsgate resistance
subject keywordsmultidrive stacked FET
subject keywordspower amplifier
subject keywordssize 45 nm
subject keywordsvoltage 3.4 V
subject keywordsCMOS integrated circuits
subject keywordsEducational institutions
subject keywordsField effect transistors
subject keywordsLogic gates
subject keywordsPower amplifiers
subject keywordsPower generation
subject keywordsReliability
subject keywordsCMOS SOI
subject keywordsW-band
subject keywordsmillimeter wave
subject keywordsmulti-drive
subject keywordspower added efficiency
subject keywordspower amplifier
subject keywordsstacked-FET PA
identifier doi10.1109/JSSC.2014.2308292
journal titleSolid-State Circuits, IEEE Journal of
journal volume49
journal issue5
filesize2421399
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace