•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Simulated near-field gain and E-field intensity of insulated loop antenna in the liquid at 30 MHz

نویسنده:
Ishii, Nozomu
,
Takezawa, Ryosuke
,
Hamada, Lira
,
Watanabe, Soichi
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/ISTDM.2014.6874622
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1074740
کلیدواژه(گان): Ge-Si alloys,n electrical conductivity,n piezoresistance,n semiconductor materials,n SiGe,n n-channel,n p-channel,n piezoresistance coefficients,n strained-SiGe channel dimension,n threshold voltage,n transconductance shifting,n Degradation,n Logic gates,n Piezoresistance,n Silicon,n Silicon germanium,n Threshold voltage,n Transconductance
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Simulated near-field gain and E-field intensity of insulated loop antenna in the liquid at 30 MHz

Show full item record

contributor authorIshii, Nozomu
contributor authorTakezawa, Ryosuke
contributor authorHamada, Lira
contributor authorWatanabe, Soichi
date accessioned2020-03-12T22:11:55Z
date available2020-03-12T22:11:55Z
date issued2014
identifier other6997261.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1074740
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleSimulated near-field gain and E-field intensity of insulated loop antenna in the liquid at 30 MHz
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8210879
subject keywordsGe-Si alloys
subject keywordsn electrical conductivity
subject keywordsn piezoresistance
subject keywordsn semiconductor materials
subject keywordsn SiGe
subject keywordsn n-channel
subject keywordsn p-channel
subject keywordsn piezoresistance coefficients
subject keywordsn strained-SiGe channel dimension
subject keywordsn threshold voltage
subject keywordsn transconductance shifting
subject keywordsn Degradation
subject keywordsn Logic gates
subject keywordsn Piezoresistance
subject keywordsn Silicon
subject keywordsn Silicon germanium
subject keywordsn Threshold voltage
subject keywordsn Transconductance
identifier doi10.1109/ISTDM.2014.6874622
journal titlelectromagnetic Compatibility, Tokyo (EMC'14/Tokyo), 2014 International Symposium on
filesize297370
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace