•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Spin accumulation in n-Ge on Si with sputtered Mn<inf>5</inf>Ge<inf>3</inf>C<inf>0.8</inf>-contacts

نویسنده:
Fischer, I.A. , Li-Te Chang , Surgers, C. , Chiussi, S. , Wang, K.L. , Schulze, J.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/ICCSP.2014.6950166
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1016758
کلیدواژه(گان): embedded systems,integrated circuit interconnections,system buses,system-on-chip,CONMAX,FPGA,IBM,PLB crossbar switch,SOC designs,SPARTAN,embedded system,flexible busmatrix,flexible centre arbiter,heterogeneous system component,multichannel AHB busmatrix,multichannel AMBA AHB,multiple arbitration technique,on chip bus,round robin,silicore,system on chip design,xillinx simulators,Bandwidth,Chip scale packaging,Complexity theory,Memory management,Round robin,Switches,Sys
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Spin accumulation in n-Ge on Si with sputtered Mn&lt;inf&gt;5&lt;/inf&gt;Ge&lt;inf&gt;3&lt;/inf&gt;C&lt;inf&gt;0.8&lt;/inf&gt;-contacts

Show full item record

date accessioned2020-03-12T20:30:14Z
date available2020-03-12T20:30:14Z
date issued2014
identifier other6874647.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1016758?locale-attribute=fa
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleSpin accumulation in n-Ge on Si with sputtered Mn<inf>5</inf>Ge<inf>3</inf>C<inf>0.8</inf>-contacts
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8140675
subject keywordsembedded systems
subject keywordsintegrated circuit interconnections
subject keywordssystem buses
subject keywordssystem-on-chip
subject keywordsCONMAX
subject keywordsFPGA
subject keywordsIBM
subject keywordsPLB crossbar switch
subject keywordsSOC designs
subject keywordsSPARTAN
subject keywordsembedded system
subject keywordsflexible busmatrix
subject keywordsflexible centre arbiter
subject keywordsheterogeneous system component
subject keywordsmultichannel AHB busmatrix
subject keywordsmultichannel AMBA AHB
subject keywordsmultiple arbitration technique
subject keywordson chip bus
subject keywordsround robin
subject keywordssilicore
subject keywordssystem on chip design
subject keywordsxillinx simulators
subject keywordsBandwidth
subject keywordsChip scale packaging
subject keywordsComplexity theory
subject keywordsMemory management
subject keywordsRound robin
subject keywordsSwitches
subject keywordsSys
identifier doi10.1109/ICCSP.2014.6950166
journal titleilicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), 2014 7th International
filesize1296523
citations0
contributor rawauthorFischer, I.A. , Li-Te Chang , Surgers, C. , Chiussi, S. , Wang, K.L. , Schulze, J.
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace