Search
نمایش تعداد 1-10 از 16
طیف سنجی تونل زنی روبشی در مطالعه نانو مواد
اختراع میکروسکوپ تونلزنی روبشی، سطح علم و دانش بشر را دچار تحول اساسی کرد(1) و برای اولین بار درک مستقیم اتمهای منحصر به فرد بر روی یک سطح را ممکن ساخت. علاوه بر امکان تهیه اطلاعات توپوگرافی به وسیله این میکروسکوپ، تهیه یک سری اطلاعات از حالات...
اندازه گیری هدایت تک مولکول به روش اتصال-شکست در میکروسکوپ تونل زنی روبشی
یکی از قابلیت های ارزشمند میکروسکوپ تونل زنی روبشی،اندازه گیری هدایت تک مولکول است.در این مقاله اصول نظری و عملی اندازه گیری هدایت تک مولکولبه روش اتصال-شکست مورد بررسی قرار می گیرد....
محاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت درMOSFET های کانال کوتاه
در این مقاله مدلی برای جریان تونل زنی گیت در ماسفت های با اکسید گیت خیلی نازک ارایه شده است. در این مدل، با در نظر گرفتن لایه وارونگی به شکل چاه پتانسیل و ساده سازی ها و محاسبه ضخامت این چاه، تابع موج الکترون ها در واسط میان نیمه هادی و اکسید را...
ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای مشخصه جریان درین-ولتاژ گیت در ترانزیستور تونلی دو گیتی
در این مقاله یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دو گیتی ارائه میشود. در مدل پیشنهادی با حل دو بعدی معادله پواسن در کانال یک رابطه برای برای محاسبه میزان تونل زنی، یک رابطه برای جریان درین بر حسب ولتاژ گیت ارائه میشود. kane میدان الکتریکی...