•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Effects of interlayers in threading dislocation reduction of step-graded InGaN heteroepitaxy

نویسنده:
Khatun, S. , Sanober, S.A. , Hossain, M.A. , Islam, M.R.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/RFIT.2014.6933266
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/983007
کلیدواژه(گان): CMOS integrated circuits,high-speed integrated circuits,inductors,integrated circuit layout,oscillators,transistors,4-stage ring oscillator,CMOS,broadband high-speed circuits,differential pair layout styles,differential stacked spiral inductor,half-inter-digitated differential pair layout,inductance density,self-resonance frequency,size 65 nm,transistor layout designs,CMOS integrated circuits,Decision support systems,Inductance,Inductors,Layout,Metals,Transistors,Different
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Effects of interlayers in threading dislocation reduction of step-graded InGaN heteroepitaxy

Show full item record

date accessioned2020-03-12T19:35:41Z
date available2020-03-12T19:35:41Z
date issued2014
identifier other6777885.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/983007?locale-attribute=fa
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleEffects of interlayers in threading dislocation reduction of step-graded InGaN heteroepitaxy
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8098275
subject keywordsCMOS integrated circuits
subject keywordshigh-speed integrated circuits
subject keywordsinductors
subject keywordsintegrated circuit layout
subject keywordsoscillators
subject keywordstransistors
subject keywords4-stage ring oscillator
subject keywordsCMOS
subject keywordsbroadband high-speed circuits
subject keywordsdifferential pair layout styles
subject keywordsdifferential stacked spiral inductor
subject keywordshalf-inter-digitated differential pair layout
subject keywordsinductance density
subject keywordsself-resonance frequency
subject keywordssize 65 nm
subject keywordstransistor layout designs
subject keywordsCMOS integrated circuits
subject keywordsDecision support systems
subject keywordsInductance
subject keywordsInductors
subject keywordsLayout
subject keywordsMetals
subject keywordsTransistors
subject keywordsDifferent
identifier doi10.1109/RFIT.2014.6933266
journal titlelectrical Information and Communication Technology (EICT), 2013 International Conference on
filesize323433
citations0
contributor rawauthorKhatun, S. , Sanober, S.A. , Hossain, M.A. , Islam, M.R.
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace