•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Integrated high-voltage (HV) Schottky diode for power management ICs

نویسنده:
Mistele, D.
,
Berkovitch, N.
,
Levin, S.
,
Shapira, S.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/ISCE.2014.6884475
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1080920
کلیدواژه(گان): III-V semiconductors,n MOSFET,n aluminium compounds,n gallium compounds,n nanoelectronics,n power transistors,n technology CAD (electronics),n wide band gap semiconductors,n 3D technology computer-aided design,n AlGaN-GaN,n TCAD,n fin dimensions,n fin geometry,n fin-shaped-channel field-effect transistor,n heterostructure recessed-gate nanoscale FinFET,n power transistor,n Aluminum gallium nitride,n FinFETs,n Gallium nitride,n HEMTs,n L
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Integrated high-voltage (HV) Schottky diode for power management ICs

Show full item record

contributor authorMistele, D.
contributor authorBerkovitch, N.
contributor authorLevin, S.
contributor authorShapira, S.
date accessioned2020-03-12T22:22:38Z
date available2020-03-12T22:22:38Z
date issued2014
identifier other7005851.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1080920
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleIntegrated high-voltage (HV) Schottky diode for power management ICs
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8217357
subject keywordsIII-V semiconductors
subject keywordsn MOSFET
subject keywordsn aluminium compounds
subject keywordsn gallium compounds
subject keywordsn nanoelectronics
subject keywordsn power transistors
subject keywordsn technology CAD (electronics)
subject keywordsn wide band gap semiconductors
subject keywordsn 3D technology computer-aided design
subject keywordsn AlGaN-GaN
subject keywordsn TCAD
subject keywordsn fin dimensions
subject keywordsn fin geometry
subject keywordsn fin-shaped-channel field-effect transistor
subject keywordsn heterostructure recessed-gate nanoscale FinFET
subject keywordsn power transistor
subject keywordsn Aluminum gallium nitride
subject keywordsn FinFETs
subject keywordsn Gallium nitride
subject keywordsn HEMTs
subject keywordsn L
identifier doi10.1109/ISCE.2014.6884475
journal titlelectrical & Electronics Engineers in Israel (IEEEI), 2014 IEEE 28th Convention of
filesize475066
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace