•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

S3-P4: Impact of drain conductance in InGaaS-HEMTs operated in a class-F amplifier

نویسنده:
Yoshida, Tomohiro
,
Otsuji, Taiichi
,
Suemitsu, Tetsuya
,
Oyama, Masashi
,
Watanabe, Kunihiko
,
Umeda, Yohtaro
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/PDP.2014.119
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1055356
کلیدواژه(گان): biology computing,n data analysis,n meta data,n optical microscopy,n research and development,n Apache Lucene,n Apache Solr,n LSDMA project,n NeXus-ICAT,n OAI-PMH,n OME,n advanced processing capability,n analysis capability,n biology,n data analysis requirements,n data life cycles,n data rates,n data set organization,n data volume,n device-driven metadata management solutions,n handling capability,n innovative R&,amp,D,n light
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    S3-P4: Impact of drain conductance in InGaaS-HEMTs operated in a class-F amplifier

Show full item record

contributor authorYoshida, Tomohiro
contributor authorOtsuji, Taiichi
contributor authorSuemitsu, Tetsuya
contributor authorOyama, Masashi
contributor authorWatanabe, Kunihiko
contributor authorUmeda, Yohtaro
date accessioned2020-03-12T21:38:24Z
date available2020-03-12T21:38:24Z
date issued2014
identifier other6951560.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1055356
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleS3-P4: Impact of drain conductance in InGaaS-HEMTs operated in a class-F amplifier
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8186225
subject keywordsbiology computing
subject keywordsn data analysis
subject keywordsn meta data
subject keywordsn optical microscopy
subject keywordsn research and development
subject keywordsn Apache Lucene
subject keywordsn Apache Solr
subject keywordsn LSDMA project
subject keywordsn NeXus-ICAT
subject keywordsn OAI-PMH
subject keywordsn OME
subject keywordsn advanced processing capability
subject keywordsn analysis capability
subject keywordsn biology
subject keywordsn data analysis requirements
subject keywordsn data life cycles
subject keywordsn data rates
subject keywordsn data set organization
subject keywordsn data volume
subject keywordsn device-driven metadata management solutions
subject keywordsn handling capability
subject keywordsn innovative R&
subject keywordsamp
subject keywordsD
subject keywordsn light
identifier doi10.1109/PDP.2014.119
journal titleester Eastman Conference on High Performance Devices (LEC), 2014
filesize1639579
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace