•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Hybrid gesture classifying method using K-NN and DTW for smart remote control

نویسنده:
Chang-Hyub Moon
,
Young-Chul Kim
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/SPIN.2014.6777006
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1053433
کلیدواژه(گان): III-V semiconductors,n S-parameters,n gallium compounds,n high electron mobility transistors,n semiconductor device models,n wide band gap semiconductors,n GaN,n HEMT,n S parameter,n capacitive effect,n contacting pad,n drain electrode,n frequency 70 GHz,n gate electrode,n high electron mobility transistor,n small signal modelling,n Capacitance,n Gallium nitride,n HEMTs,n Integrated circuit modeling,n Logic gates,n Mathematical model
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Hybrid gesture classifying method using K-NN and DTW for smart remote control

Show full item record

contributor authorChang-Hyub Moon
contributor authorYoung-Chul Kim
date accessioned2020-03-12T21:34:44Z
date available2020-03-12T21:34:44Z
date issued2014
identifier other6947881.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1053433
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleHybrid gesture classifying method using K-NN and DTW for smart remote control
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8183794
subject keywordsIII-V semiconductors
subject keywordsn S-parameters
subject keywordsn gallium compounds
subject keywordsn high electron mobility transistors
subject keywordsn semiconductor device models
subject keywordsn wide band gap semiconductors
subject keywordsn GaN
subject keywordsn HEMT
subject keywordsn S parameter
subject keywordsn capacitive effect
subject keywordsn contacting pad
subject keywordsn drain electrode
subject keywordsn frequency 70 GHz
subject keywordsn gate electrode
subject keywordsn high electron mobility transistor
subject keywordsn small signal modelling
subject keywordsn Capacitance
subject keywordsn Gallium nitride
subject keywordsn HEMTs
subject keywordsn Integrated circuit modeling
subject keywordsn Logic gates
subject keywordsn Mathematical model
identifier doi10.1109/SPIN.2014.6777006
journal titlenformation Science, Electronics and Electrical Engineering (ISEEE), 2014 International Conference on
filesize163021
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace