•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

A path to 10% efficiency for tin sulfide devices

نویسنده:
Mangan, N.M.
,
Brandt, R.E.
,
Steinmann, V.
,
Jaramillo, R.
,
Li, J.V.
,
Poindexter, J.R.
,
Hartman, K.
,
Leizhi Sun
,
Gordon, R.G.
,
Buonassisi, T.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/ESSDERC.2014.6948760
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1037512
کلیدواژه(گان): electrostatic actuators,microswitches,reliability,capacitive RF MEMS switches,contact degradation,electrical properties,electrostatic actuation,membrane internal stress,modified floating metal,repetitive impact cycles,temperature 25 degC,temperature 40 degC,temperature 55 degC,Contacts,Degradation,Radio frequency,Reliability,Stress,Switches,Temperature measurement,RF MEMS,contact degradation,reliability,repetitive impact cycles,temperature effect
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    A path to 10% efficiency for tin sulfide devices

Show full item record

contributor authorMangan, N.M.
contributor authorBrandt, R.E.
contributor authorSteinmann, V.
contributor authorJaramillo, R.
contributor authorLi, J.V.
contributor authorPoindexter, J.R.
contributor authorHartman, K.
contributor authorLeizhi Sun
contributor authorGordon, R.G.
contributor authorBuonassisi, T.
date accessioned2020-03-12T21:06:59Z
date available2020-03-12T21:06:59Z
date issued2014
identifier other6925404.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1037512
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleA path to 10% efficiency for tin sulfide devices
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8163843
subject keywordselectrostatic actuators
subject keywordsmicroswitches
subject keywordsreliability
subject keywordscapacitive RF MEMS switches
subject keywordscontact degradation
subject keywordselectrical properties
subject keywordselectrostatic actuation
subject keywordsmembrane internal stress
subject keywordsmodified floating metal
subject keywordsrepetitive impact cycles
subject keywordstemperature 25 degC
subject keywordstemperature 40 degC
subject keywordstemperature 55 degC
subject keywordsContacts
subject keywordsDegradation
subject keywordsRadio frequency
subject keywordsReliability
subject keywordsStress
subject keywordsSwitches
subject keywordsTemperature measurement
subject keywordsRF MEMS
subject keywordscontact degradation
subject keywordsreliability
subject keywordsrepetitive impact cycles
subject keywordstemperature effect
identifier doi10.1109/ESSDERC.2014.6948760
journal titlehotovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th
filesize675403
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace