•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Effects of the defect creation on the bidirectional shift of threshold voltage with hump characteristics of InGaZnO TFTs under bias and thermal stress

نویسنده:
Hwarim Im , Hyunsoo Song , Jaewook Jeong , Yewon Hong , Yongtaek Hong
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/RFID-TA.2014.6934219
یو آر آی: https://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1012627
کلیدواژه(گان): UHF antennas,conveyors,feature extraction,radiofrequency identification,signal classification,UHF antennas,UHF-RFID gate,conveyor belt,feature extraction,phase-based radiolocalization,radiofrequency identification,reader antenna,Antennas,Belts,Classification algorithms,History,Logic gates,Phase measurement,Radiofrequency identification,UHF RFID systems,moving tag,phase-based radiolocalization,static tag
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Effects of the defect creation on the bidirectional shift of threshold voltage with hump characteristics of InGaZnO TFTs under bias and thermal stress

Show full item record

date accessioned2020-03-12T20:23:13Z
date available2020-03-12T20:23:13Z
date issued2014
identifier other6867155.pdf
identifier urihttps://libsearch.um.ac.ir:443/fum/handle/fum/1012627
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleEffects of the defect creation on the bidirectional shift of threshold voltage with hump characteristics of InGaZnO TFTs under bias and thermal stress
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8135487
subject keywordsUHF antennas
subject keywordsconveyors
subject keywordsfeature extraction
subject keywordsradiofrequency identification
subject keywordssignal classification
subject keywordsUHF antennas
subject keywordsUHF-RFID gate
subject keywordsconveyor belt
subject keywordsfeature extraction
subject keywordsphase-based radiolocalization
subject keywordsradiofrequency identification
subject keywordsreader antenna
subject keywordsAntennas
subject keywordsBelts
subject keywordsClassification algorithms
subject keywordsHistory
subject keywordsLogic gates
subject keywordsPhase measurement
subject keywordsRadiofrequency identification
subject keywordsUHF RFID systems
subject keywordsmoving tag
subject keywordsphase-based radiolocalization
subject keywordsstatic tag
identifier doi10.1109/RFID-TA.2014.6934219
journal titlective-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD), 2014 21st International Workshop on
filesize1388704
citations0
contributor rawauthorHwarim Im , Hyunsoo Song , Jaewook Jeong , Yewon Hong , Yongtaek Hong
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace