This paper presents a 2-D analytic potential model for double-gate (DG) tunnel field effect transistors (TFETs) by solving the 2-D Poisson’s equation. From the potential profile, the electric field is derived and then the ...

در این مقاله یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دو گیتی ارائه میشود. در مدل پیشنهادی با حل دو بعدی معادله پواسن در کانال یک رابطه برای برای محاسبه میزان تونل زنی، یک رابطه برای جریان درین بر حسب ولتاژ گیت ارائه ...