•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
Search 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Search
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Search
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Search

Show Advanced FiltersHide Advanced Filters

Filters

Use filters to refine the search results.

نمایش تعداد 1-5 از 5

    • Relevance
    • Title Asc
    • Title Desc
    • سال صعودی
    • سال نزولی
    • 5
    • 10
    • 20
    • 40
    • 60
    • 80
    • 100
  • خروجی
    • CSV
    • RIS
    • Sort Options:
    • Relevance
    • Title Asc
    • Title Desc
    • Issue Date Asc
    • Issue Date Desc
    • Results Per Page:
    • 5
    • 10
    • 20
    • 40
    • 60
    • 80
    • 100

    A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer 

    نوع: Conference Paper
    نویسنده : M. Razavi; Ali A. Orouji; سید ابراهیم حسینی; Seyed Ebrahim Hosseini
    سال: 2011
    خلاصه:

    the drain under the gate. The length and thickness of the channel recess into the p-buffer layer are larger than the pbuffer recess into the channel. We call this new structure as Recessed PBuffer (RPB) SiC MESFET. The proposed structure has the narrower...

    DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate 

    نوع: Conference Paper
    نویسنده : M. Razavi; Ali A. Orouji; سید ابراهیم حسینی; Seyed Ebrahim Hosseini
    سال: 2011
    خلاصه:

    concentration under the gate improves the short channel effect such as DIBL. With varying NSS and NDS, the DC transconductance has a nonlinear variations. Also, simulation results demonstrate that NSS effects on the DC and RF characterization of SiC-MESFET...

    Recessed p-buffer layer SiC MESFET: A novel device for improving DC and RF characteristics 

    نوع: Journal Paper
    نویسنده : S. M. Razavi; A. Orouji; سید ابراهیم حسینی; Seyed Ebrahim Hosseini
    سال: 2012
    خلاصه:

    -conductance, cut-off frequency, DC output conductance, drain current and breakdown voltage of the two structures, the source side-recessed p-buffer (SS-RPB) and drain side-recessed p-buffer (DS-RPB), are simulated and compared with the conventional recessed gate SiC...

    A novel 4H–SiC MESFET with recessed gate and channel 

    نوع: Journal Paper
    نویسنده : S. M. Razavi; S. H. Zahiri; سید ابراهیم حسینی; Seyed Ebrahim Hosseini
    سال: 2013
    خلاصه:

    of the proposed

    structures are simulated and compared with the conventional

    4H–SiC MESFET. Simulation results disclose that, compared to

    the conventional structure, the structure with recessed full gate

    and channel (FGC):

    1...

    Vision through other senses: Practical use of Sensory Substitution devices as assistive technology for visual rehabilitation 

    نوع: Conference Paper
    نویسنده : Maidenbaum, S.; Arbel, R.; Buchs, G.; Shapira, S.; Amedi, A.
    ناشر: IEEE
    سال: 2014

    نویسنده

    ... View More

    ناشر

    سال

    کلیدواژه

    ... View More

    نوع

    زبان

    نوع محتوا

    عنوان ناشر

    • درباره ما
    نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
    DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace