•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Multiplicative and Additive Low-Frequency Noise in Microwave Transistors

نویسنده:
Weinreb, S.
,
Schleeh, Joel
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/TMTT.2013.2293123
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/964052
کلیدواژه(گان): heterojunction bipolar transistors,high electron mobility transistors,microwave transistors,semiconductor device noise,additive effects,additive low-frequency noise,bias circuit dependence,frequency 1 Hz to 1 GHz,gain fluctuations,heterojunction bipolar transistors,high electron mobility transistors,microwave transistors,multiplicative effects,multiplicative low-frequency noise,noise figure,radiometers,transistor technology,Frequency measurement,Gain,HEMTs,Noise,Noise measur
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Multiplicative and Additive Low-Frequency Noise in Microwave Transistors

Show full item record

contributor authorWeinreb, S.
contributor authorSchleeh, Joel
date accessioned2020-03-12T18:36:17Z
date available2020-03-12T18:36:17Z
date issued2014
identifier issn0018-9480
identifier other6684329.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/964052?locale-attribute=fa
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleMultiplicative and Additive Low-Frequency Noise in Microwave Transistors
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid7997486
subject keywordsheterojunction bipolar transistors
subject keywordshigh electron mobility transistors
subject keywordsmicrowave transistors
subject keywordssemiconductor device noise
subject keywordsadditive effects
subject keywordsadditive low-frequency noise
subject keywordsbias circuit dependence
subject keywordsfrequency 1 Hz to 1 GHz
subject keywordsgain fluctuations
subject keywordsheterojunction bipolar transistors
subject keywordshigh electron mobility transistors
subject keywordsmicrowave transistors
subject keywordsmultiplicative effects
subject keywordsmultiplicative low-frequency noise
subject keywordsnoise figure
subject keywordsradiometers
subject keywordstransistor technology
subject keywordsFrequency measurement
subject keywordsGain
subject keywordsHEMTs
subject keywordsNoise
subject keywordsNoise measur
identifier doi10.1109/TMTT.2013.2293123
journal titleMicrowave Theory and Techniques, IEEE Transactions on
journal volume62
journal issue1
filesize1706943
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace