•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Capacitive Effects of Gate on Spin-Dependent AC Transport

نویسنده:
Yi-Jian Shi
,
Jin Lan
,
Wen-Quan Sui
,
Xuean Zhao
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/TMAG.2014.2313319
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1127517
کلیدواژه(گان): electric admittance,electronic density of states,exchange interactions (electron),field effect transistors,magnetoelectronics,spin polarised transport,spin-spin interactions,Coulomb interactions,charge capacitive effects,charge-charge interaction,conductance,electron density of states,exchange interactions,gate-controlled spin-dependent transport systems,internal potentials,spin capacitive effects,spin-dependent AC transport,spin-spin interaction,spintronics devices,Admittance
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Capacitive Effects of Gate on Spin-Dependent AC Transport

Show full item record

contributor authorYi-Jian Shi
contributor authorJin Lan
contributor authorWen-Quan Sui
contributor authorXuean Zhao
date accessioned2020-03-12T23:54:18Z
date available2020-03-12T23:54:18Z
date issued2014
identifier issn0018-9464
identifier other6777540.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1127517?locale-attribute=fa
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleCapacitive Effects of Gate on Spin-Dependent AC Transport
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8307484
subject keywordselectric admittance
subject keywordselectronic density of states
subject keywordsexchange interactions (electron)
subject keywordsfield effect transistors
subject keywordsmagnetoelectronics
subject keywordsspin polarised transport
subject keywordsspin-spin interactions
subject keywordsCoulomb interactions
subject keywordscharge capacitive effects
subject keywordscharge-charge interaction
subject keywordsconductance
subject keywordselectron density of states
subject keywordsexchange interactions
subject keywordsgate-controlled spin-dependent transport systems
subject keywordsinternal potentials
subject keywordsspin capacitive effects
subject keywordsspin-dependent AC transport
subject keywordsspin-spin interaction
subject keywordsspintronics devices
subject keywordsAdmittance
identifier doi10.1109/TMAG.2014.2313319
journal titleMagnetics, IEEE Transactions on
journal volume50
journal issue9
filesize692469
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace