•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

In-situ contact formation for ultra-low contact resistance NiGe using carrier activation enhancement (CAE) techniques for Ge CMOS

نویسنده:
Miyoshi, H. , Ueno, T. , Akiyama, K. , Hirota, Y. , Kaitsuka, T.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/SCAM.2014.17
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1112951
کلیدواژه(گان): public domain software,software metrics,software reusability,source code (software),LCS-based source code similarity,automatic source code reuse relationship identification,longest common subsequence,open source software projects,pair identification,similarity metric,source file reuse,Educational institutions,History,Libraries,Measurement,Particle separators,Software,White spaces,empirical study,software reuse,source code similarity,version control system
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    In-situ contact formation for ultra-low contact resistance NiGe using carrier activation enhancement (CAE) techniques for Ge CMOS

Show full item record

date accessioned2020-03-12T23:28:25Z
date available2020-03-12T23:28:25Z
date issued2014
identifier other6894409.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1112951?locale-attribute=fa
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleIn-situ contact formation for ultra-low contact resistance NiGe using carrier activation enhancement (CAE) techniques for Ge CMOS
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8281934
subject keywordspublic domain software
subject keywordssoftware metrics
subject keywordssoftware reusability
subject keywordssource code (software)
subject keywordsLCS-based source code similarity
subject keywordsautomatic source code reuse relationship identification
subject keywordslongest common subsequence
subject keywordsopen source software projects
subject keywordspair identification
subject keywordssimilarity metric
subject keywordssource file reuse
subject keywordsEducational institutions
subject keywordsHistory
subject keywordsLibraries
subject keywordsMeasurement
subject keywordsParticle separators
subject keywordsSoftware
subject keywordsWhite spaces
subject keywordsempirical study
subject keywordssoftware reuse
subject keywordssource code similarity
subject keywordsversion control system
identifier doi10.1109/SCAM.2014.17
journal titleLSI Technology (VLSI-Technology): Digest of Technical Papers, 2014 Symposium on
filesize975750
citations0
contributor rawauthorMiyoshi, H. , Ueno, T. , Akiyama, K. , Hirota, Y. , Kaitsuka, T.
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace