[Front matter]

ناشر:
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/ICIPRM.2014.6880547
کلیدواژه(گان): III-V semiconductors,n MOCVD,n indium compounds,n integrated optics,n microcavity lasers,n microdisc lasers,n optical fabrication,n semiconductor lasers,n silicon,n vapour phase epitaxial growth,n whispering gallery modes,n InGaAs,n MC-SA MOVPE method,n Si,n cavity Q factor,n disk size,n etched hole,n hollow hexagonal InGaAs microdisk laser,n microchannel selective-area MOVPE growth technique,n monolithic integration,n quasiwhispering-g
کالکشن :
  • نمایش متادیتا
  • آمار بازدید