•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Soft biometrics for subject identification using clothing attributes

نویسنده:
Jaha, Emad Sami
,
Nixon, Mark S.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/DRC.2014.6872378
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1073761
کلیدواژه(گان): III-V semiconductors,n MOSFET,n gallium arsenide,n indium compounds,n tunnelling,n BTBT,n DIBL,n III-V FETs,n In<,sub>,0.53<,/sub>,Ga<,sub>,0.47<,/sub>,As,n N+ source-drain,n SS,n band-to-band tunneling,n channel material,n channel-drain junction,n depletion region,n drain-induced barrier lowering,n electron transport properties,n high drain-field region,n narrow bandgap,n off-state leakage,n on-state characteristics
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Soft biometrics for subject identification using clothing attributes

Show full item record

contributor authorJaha, Emad Sami
contributor authorNixon, Mark S.
date accessioned2020-03-12T22:09:59Z
date available2020-03-12T22:09:59Z
date issued2014
identifier other6996278.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1073761?locale-attribute=fa
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleSoft biometrics for subject identification using clothing attributes
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8209885
subject keywordsIII-V semiconductors
subject keywordsn MOSFET
subject keywordsn gallium arsenide
subject keywordsn indium compounds
subject keywordsn tunnelling
subject keywordsn BTBT
subject keywordsn DIBL
subject keywordsn III-V FETs
subject keywordsn In<
subject keywordssub>
subject keywords0.53<
subject keywords/sub>
subject keywordsGa<
subject keywordssub>
subject keywords0.47<
subject keywords/sub>
subject keywordsAs
subject keywordsn N+ source-drain
subject keywordsn SS
subject keywordsn band-to-band tunneling
subject keywordsn channel material
subject keywordsn channel-drain junction
subject keywordsn depletion region
subject keywordsn drain-induced barrier lowering
subject keywordsn electron transport properties
subject keywordsn high drain-field region
subject keywordsn narrow bandgap
subject keywordsn off-state leakage
subject keywordsn on-state characteristics
identifier doi10.1109/DRC.2014.6872378
journal titleiometrics (IJCB), 2014 IEEE International Joint Conference on
filesize745738
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace