•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Overview of Hodoyoshi microsatellites for remote sensing and its future prospect

نویسنده:
Maeda, K.
,
Nakasuka, S.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/ICECI.2014.6767383
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1052851
کلیدواژه(گان): MOSFET,n semiconductor device models,n semiconductor doping,n DDC MOS transistor,n TCAD simulation,n bulk MOS transistor,n deeply depleted channel MOSFET,n doped transistor,n threshold voltage modeling,n Analytical models,n MOSFET,n Mathematical model,n Predictive models,n Simulation,n Threshold voltage,n DDC,n Depletion depth,n Doping,n Intrinsic gain,n Surface potential,n T<,inf>,V<,/inf>,variation
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Overview of Hodoyoshi microsatellites for remote sensing and its future prospect

Show full item record

contributor authorMaeda, K.
contributor authorNakasuka, S.
date accessioned2020-03-12T21:33:40Z
date available2020-03-12T21:33:40Z
date issued2014
identifier other6947269.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1052851?locale-attribute=fa
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleOverview of Hodoyoshi microsatellites for remote sensing and its future prospect
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8183098
subject keywordsMOSFET
subject keywordsn semiconductor device models
subject keywordsn semiconductor doping
subject keywordsn DDC MOS transistor
subject keywordsn TCAD simulation
subject keywordsn bulk MOS transistor
subject keywordsn deeply depleted channel MOSFET
subject keywordsn doped transistor
subject keywordsn threshold voltage modeling
subject keywordsn Analytical models
subject keywordsn MOSFET
subject keywordsn Mathematical model
subject keywordsn Predictive models
subject keywordsn Simulation
subject keywordsn Threshold voltage
subject keywordsn DDC
subject keywordsn Depletion depth
subject keywordsn Doping
subject keywordsn Intrinsic gain
subject keywordsn Surface potential
subject keywordsn T<
subject keywordsinf>
subject keywordsV<
subject keywords/inf>
subject keywordsvariation
identifier doi10.1109/ICECI.2014.6767383
journal titleeoscience and Remote Sensing Symposium (IGARSS), 2014 IEEE International
filesize260330
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace