•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
Search 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Search
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Search
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Search

Show Advanced FiltersHide Advanced Filters

Filters

Use filters to refine the search results.

نمایش تعداد 1-8 از 8

    • Relevance
    • Title Asc
    • Title Desc
    • سال صعودی
    • سال نزولی
    • 5
    • 10
    • 20
    • 40
    • 60
    • 80
    • 100
  • خروجی
    • CSV
    • RIS
    • Sort Options:
    • Relevance
    • Title Asc
    • Title Desc
    • Issue Date Asc
    • Issue Date Desc
    • Results Per Page:
    • 5
    • 10
    • 20
    • 40
    • 60
    • 80
    • 100

    Nanometer-Scale Vertical-Sidewall Reactive Ion Etching of InGaAs for 3-D III-V MOSFETs 

    نوع: Journal Paper
    نویسنده : Xin Zhao; del Alamo, Jesus /A/.
    ناشر: IEEE
    سال: 2014

    A Test Structure to Characterize Nano-Scale Ohmic Contacts in III-V MOSFETs 

    نوع: Journal Paper
    نویسنده : Wenjie Lu; Guo, Anjin; Vardi, Alon; del Alamo, Jesus /A/.
    ناشر: IEEE
    سال: 2014

    Off-State Leakage Induced by Band-to-Band Tunneling and Floating-Body Bipolar Effect in InGaAs Quantum-Well MOSFETs 

    نوع: Journal Paper
    نویسنده : Jianqiang Lin; Antoniadis, Dimitri /A/.; del Alamo, Jesus /A/.
    ناشر: IEEE
    سال: 2014

    A Diamond:H/MoO<sub>3</sub> MOSFET 

    نوع: Journal Paper
    نویسنده : Vardi, Alon; Tordjman, Maurice; del Alamo, Jesus /A/.; Kalish, Rafi
    ناشر: IEEE
    سال: 2014

    Impact of Water-Assisted Electrochemical Reactions on the OFF-State Degradation of AlGaN/GaN HEMTs 

    نوع: Journal Paper
    نویسنده : Feng Gao; Swee Ching Tan; del Alamo, Jesus /A/.; Thompson, Carl V.; Palacios, T.
    ناشر: IEEE
    سال: 2014

    A Novel Digital Etch Technique for Deeply Scaled III-V MOSFETs 

    نوع: Journal Paper
    نویسنده : Jianqiang Lin; Xin Zhao; Antoniadis, Dimitri /A/.; del Alamo, Jesus /A/.
    ناشر: IEEE
    سال: 2014

    Enhancing p-channel InGaSb QW-FETs via Process-Induced Compressive Uniaxial Strain 

    نوع: Journal Paper
    نویسنده : Guo, Luke W.; Xia, Li; Bennett, Brian R.; Boos, J. Brad; Ancona, Mario G.; del Alamo, Jesus /A/.
    ناشر: IEEE
    سال: 2014

    Single-Event Transient Response of InGaAs MOSFETs 

    نوع: Journal Paper
    نویسنده : Kai Ni; En Xia Zhang; Hooten, N.C.; Bennett, W.G.; McCurdy, Michael W.; Sternberg, A.L.; Schrimpf, R.D.; Reed, R.A.; Fleetwood, D.M.; Alles, Michael L.; Tae-Woo Kim; Jianqiang Lin; del Alamo, Jesus /A/.
    ناشر: IEEE
    سال: 2014

    نویسنده

    ... View More

    ناشر

    سال

    کلیدواژه

    ... View More

    نوع

    زبان

    نوع محتوا

    عنوان ناشر

    • درباره ما
    نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
    DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace