Temperature and electron field–dependent electron transport in InP has been simulated using an ensemble Monte

Carlo and All dominant scattering procecess has been included in our calculations .our results show that ...

مقایسه ترابرد الکترون در حالت پایدار و نا پایدار AlN،InN،GaN با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو در حد میدانهای الکتریکی بالا

مقایسه ترابرد الکترونی در حالت پایدار نیمرساناهای AlN،InN،GaN با استفاده از روش مونت کارلو در میدانهای الکتریکی بالا

چکیده

ارائھ MgSiO در این مقالھ خواص اپتیکی ، چگالی حالتھای انرژی ، تابع دیالکتریک ، ضریب شکست و گاف اپتیکی بلور 3

در چارچوب نظریھ تابعی چگالی (FP-LAPW) شده است. محاسبات بھ روش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت ...