Search
نمایش تعداد 1-10 از 3576
Technological requirements for a self-aligned lateral SiGe HBT with the SiGe layer formed by Ge ion implantation in Si including theoretical performance
سال: 2006
خلاصه:
A new method for realization of self-aligned lateral SiGe-HBT (SiGe-SLHBT) is introduced and ac and dc simulations are performed based on a two-dimensional physical model. The fabrication process is simple and requires a minimum number of masks...
Impact of annealing on surface morphology and photoluminescence of self assembled Ge and Si quantum dots
ناشر: American Scientific Publishers
سال: 2014
بررسی اثر فشار بر روی خصوصیات اپتیکی فاز Post-Perovskite و Perovskite بلور3 MgSiO
سال: 2009
خلاصه:
چکیده
ارائھ MgSiO در این مقالھ خواص اپتیکی ، چگالی حالتھای انرژی ، تابع دیالکتریک ، ضریب شکست و گاف اپتیکی بلور 3
در چارچوب نظریھ تابعی چگالی (FP-LAPW) شده است. محاسبات بھ روش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شدهی خطی
انجام Post...
Transmitter optimization in MISO broadcast channel with common and secret messages
ناشر: IEEE
سال: 2014