Search
CSV
RISیک BJT جانبی لایه نازک با بهره بالا بر روی زیرپایه SOI
سال: 2010
خلاصه:
در این مقاله یک ساختار BJT جانبی دو امیتری متقارن (SDE LBJT) روی زیرپایه SOI طراحی و بررسی شده است. از توزیع ناخالصی مناسب جهت بهبود کارآیی ترانزیستور استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهد که ترانزیستور خصوصیات DC خوبی دارد. همچنین بهره جریان...
In vivo evaluation of a μECoG array for chronic stimulation
ناشر: IEEE
سال: 2014
Improved Electrothermal Ruggedness in SiC MOSFETs Compared With Silicon IGBTs
ناشر: IEEE
سال: 2014
Flexible end-to-end content security in CCN
ناشر: IEEE
سال: 2014
Real Estate Project Risk Assessment Method Based on Modified Support Vector Machine
ناشر: IEEE
سال: 2014
Memetic Modified Artificial Bee Colony for constrained optimization
ناشر: IEEE
سال: 2014
Stemmer for resource scarce language using string similarity measure
ناشر: IEEE
سال: 2014
On higher-order-sectorization cellular arrays
ناشر: IEEE
سال: 2014
SPICE model parameters extraction taking into account the ionizing radiation effects
ناشر: IEEE
سال: 2014