•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Small Signal Nonquasi-static Model for Common Double-Gate MOSFETs Adapted to Gate Oxide Thickness Asymmetry

نویسنده:
Sharan, N. , Mahapatra, S.
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/PVSC.2014.6924921
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/979908
کلیدواژه(گان): X-ray diffraction,X-ray fluorescence analysis,atomic force microscopy,copper compounds,crystal structure,ellipsometry,gallium compounds,indium compounds,optical constants,scanning electron microscopy,semiconductor growth,semiconductor thin films,surface morphology,ternary semiconductors,vacuum deposition,AFM,Cu(InGa)Se<,sub>,2<,/sub>,SEM,X-ray diffraction,X-ray fluorescence,XRD,XRF,atomic force microscopy,composition ratio,crystal structure,ex-situ measurements
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Small Signal Nonquasi-static Model for Common Double-Gate MOSFETs Adapted to Gate Oxide Thickness Asymmetry

Show full item record

contributor authorSharan, N. , Mahapatra, S.
date accessioned2020-03-12T19:30:14Z
date available2020-03-12T19:30:14Z
date issued2014
identifier other6733165.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/979908
formatgeneral
languageEnglish
titleSmall Signal Nonquasi-static Model for Common Double-Gate MOSFETs Adapted to Gate Oxide Thickness Asymmetry
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8094095
subject keywordsX-ray diffraction
subject keywordsX-ray fluorescence analysis
subject keywordsatomic force microscopy
subject keywordscopper compounds
subject keywordscrystal structure
subject keywordsellipsometry
subject keywordsgallium compounds
subject keywordsindium compounds
subject keywordsoptical constants
subject keywordsscanning electron microscopy
subject keywordssemiconductor growth
subject keywordssemiconductor thin films
subject keywordssurface morphology
subject keywordsternary semiconductors
subject keywordsvacuum deposition
subject keywordsAFM
subject keywordsCu(InGa)Se<
subject keywordssub>
subject keywords2<
subject keywords/sub>
subject keywordsSEM
subject keywordsX-ray diffraction
subject keywordsX-ray fluorescence
subject keywordsXRD
subject keywordsXRF
subject keywordsatomic force microscopy
subject keywordscomposition ratio
subject keywordscrystal structure
subject keywordsex-situ measurements
identifier doi10.1109/PVSC.2014.6924921
journal titleLSI Design and 2014 13th International Conference on Embedded Systems, 2014 27th International Confe
filesize584346
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace